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CdS紫外探测器芯片的制备研究

何雯瑾 信思树 钟科 柴圆媛 黎秉哲 杨文运 太云见 袁俊

何雯瑾, 信思树, 钟科, 柴圆媛, 黎秉哲, 杨文运, 太云见, 袁俊. CdS紫外探测器芯片的制备研究[J]. 红外技术, 2021, 43(8): 773-776.
引用本文: 何雯瑾, 信思树, 钟科, 柴圆媛, 黎秉哲, 杨文运, 太云见, 袁俊. CdS紫外探测器芯片的制备研究[J]. 红外技术, 2021, 43(8): 773-776.
HE Wenjin, XIN Sishu, ZHONG Ke, CHAI Yuanyuan, LI Bingzhe, YANG Wenyun, TAI Yunjian, YUAN Jun. Preparation of a CdS Ultraviolet Detector[J]. Infrared Technology , 2021, 43(8): 773-776.
Citation: HE Wenjin, XIN Sishu, ZHONG Ke, CHAI Yuanyuan, LI Bingzhe, YANG Wenyun, TAI Yunjian, YUAN Jun. Preparation of a CdS Ultraviolet Detector[J]. Infrared Technology , 2021, 43(8): 773-776.

CdS紫外探测器芯片的制备研究

详细信息
    作者简介:

    何雯瑾(1979-),女,硕士,研究员,主要从事红外探测器材料及器件研究。E-mail: wenjinhe_2003@163.com

    通讯作者:

    袁俊(1980-)男,研究员,主要从事红外探测器材料及器件研究

  • 中图分类号: TN23

Preparation of a CdS Ultraviolet Detector

  • 摘要: 针对紫外探测器在紫外-红外双色探测器中的工程化应用需求,开展了Pt/CdS肖特基紫外探测器研究,通过对CdS晶片表面处理工艺、Pt电极制备及紫外芯片退火等关键技术进行优化研究,并对Pt/CdS肖特基紫外探测器性能进行测试分析。测试结果表明: Pt/CdS肖特基紫外探测器在0.3~0.5 μm下响应率大于0.2 A/W,对3~5 μm红外波长的平均透过率大于80%,很好地满足了紫外-红外双色探测器中的工程化应用要求。
  • 图  1  叠层紫外/红外双色探测器结构示意图

    图  2  紫外探测器芯片结构示意图

    Figure  2.  UV structure scheme

    图  3  紫外探测器芯片表面处理前后的欧姆接触对比图

    Figure  3.  Ohmic contact comparison before and after surface treatment

    图  4  优化Pt电极后肖特基结的I-V曲线图

    Figure  4.  I-V curve of Schottky junction after optimizing Pt electrode

    图  5  退火前后肖特基结的I-V曲线对比图

    Figure  5.  I-V curves of Schottky junction before and after annealing

    表  1  Pt生长条件与红外透过率的关系

    Table  1.   Relationship between Pt growth conditions and infrared transmittance

    Sputtering power/W Sputtering times/s Thickness of Pt electrode /Å Infrared transmittance/(%)
    52.7 5 116 37.3
    52.7 2 48 50
    40 5 50 50.9
    30 5 46 66.8
    20 5 38 77.3
    15 4 20 86.1
    10 5 26 83
    18 5 30 80
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出版历程
  • 收稿日期:  2021-02-06
  • 修回日期:  2021-08-06
  • 刊出日期:  2021-08-20

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    《红外技术》编辑部

    2021-06-16