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Pt/CdS Schottky紫外探测器的光电性能研究

姚官生, 张向锋, 丁嘉欣, 吕衍秋

姚官生, 张向锋, 丁嘉欣, 吕衍秋. Pt/CdS Schottky紫外探测器的光电性能研究[J]. 红外技术, 2014, (6): 443-445.
引用本文: 姚官生, 张向锋, 丁嘉欣, 吕衍秋. Pt/CdS Schottky紫外探测器的光电性能研究[J]. 红外技术, 2014, (6): 443-445.
shu
YAO Guan-sheng, ZHANG Xiang-feng, DING Jia-xin, LV Yan-qiu. Research on the Photoelectric Characteristics of the Pt/CdS Schottky UV Detector[J]. Infrared Technology , 2014, (6): 443-445.
Citation: YAO Guan-sheng, ZHANG Xiang-feng, DING Jia-xin, LV Yan-qiu. Research on the Photoelectric Characteristics of the Pt/CdS Schottky UV Detector[J]. Infrared Technology , 2014, (6): 443-445.
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Pt/CdS Schottky紫外探测器的光电性能研究

  • 中国空空导弹研究院，河南 洛阳，471009; 红外探测器技术航空科技重点实验室，河南 洛阳，471009

  • 中国空空导弹研究院，河南 洛阳，471009

  • 中国空空导弹研究院

详细信息

  • 中图分类号: TN23

Research on the Photoelectric Characteristics of the Pt/CdS Schottky UV Detector

摘要

    摘要
  • 摘要: 制备了Pt/CdS Schottky紫外探测器，对Pt/CdS Schottky紫外芯片对中波红外（3～5μm）的透过率进行了研究，并对器件光电性能进行了测试分析。通过优化 Pt 电极制备条件及对 SiO2增透膜的研究，使Pt/CdS Schottky紫外芯片对中波红外波段的透过率达到85%。室温300 K下，所制备Pt/CdS Schottky紫外探测器在零偏压处的背景光电流为-0.063 nA，在＋6 V时的暗电流密度为7.6×10-7 A/cm2，R0A达到7.2×104?·cm2，其50%截止波长为510 nm。
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