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紫外探测器用CdS晶片制备工艺研究

黄江平 何雯瑾 袁俊 王羽 李玉英 杨登全

黄江平, 何雯瑾, 袁俊, 王羽, 李玉英, 杨登全. 紫外探测器用CdS晶片制备工艺研究[J]. 红外技术, 2014, (6): 446-450,456.
引用本文: 黄江平, 何雯瑾, 袁俊, 王羽, 李玉英, 杨登全. 紫外探测器用CdS晶片制备工艺研究[J]. 红外技术, 2014, (6): 446-450,456.
HUANG Jiang-ping, HE Wen-jin, YUAN Jun, WANG Yu, LI Yu-ying, YANG Deng-quan. Study on Preparation of Cadmium Sulfide for Ultraviolet Detector[J]. Infrared Technology , 2014, (6): 446-450,456.
Citation: HUANG Jiang-ping, HE Wen-jin, YUAN Jun, WANG Yu, LI Yu-ying, YANG Deng-quan. Study on Preparation of Cadmium Sulfide for Ultraviolet Detector[J]. Infrared Technology , 2014, (6): 446-450,456.

紫外探测器用CdS晶片制备工艺研究

详细信息
  • 中图分类号: TN23

Study on Preparation of Cadmium Sulfide for Ultraviolet Detector

  • 摘要: 介绍了叠层紫外/红外双色探测器结构特点、工作原理及选择CdS晶体材料制作紫外探测器光敏元的理论依据。阐述了 CdS 晶片制备及表面抛光质量的重要性和必要性。针对磨抛工艺对 CdS紫外探测器性能的影响进行了研究。对比了几种抛光液对晶片表面的抛光效果,并进行了扫描电镜、红外透过率和表面粗糙度分析,得到了抛光后晶片表面的扫描电子显微镜(SEM)照片和CdS晶片厚度与红外透过率的关系曲线及CdS晶片厚度与振动噪声的关系。通过理论和实践的结合,确定了最佳抛光材料及最佳晶片厚度,研制出了完全能满足紫外探测器工艺要求的CdS探测器晶片。
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