不同钝化膜对InSb光伏探测器性能影响研究

龚晓霞, 肖婷婷, 杨瑞宇, 黎秉哲, 尚发兰, 孙祥乐, 赵宇鹏, 陈冬琼, 杨文运

龚晓霞, 肖婷婷, 杨瑞宇, 黎秉哲, 尚发兰, 孙祥乐, 赵宇鹏, 陈冬琼, 杨文运. 不同钝化膜对InSb光伏探测器性能影响研究[J]. 红外技术, 2020, 42(10): 953-957.
引用本文: 龚晓霞, 肖婷婷, 杨瑞宇, 黎秉哲, 尚发兰, 孙祥乐, 赵宇鹏, 陈冬琼, 杨文运. 不同钝化膜对InSb光伏探测器性能影响研究[J]. 红外技术, 2020, 42(10): 953-957.
GONG Xiaoxia, XIAO Tingting, YANG Ruiyu, LI Bingzhe, SHANG Falan, SUN Xiangle, ZHAO Yupeng, CHEN Dongqiong, YANG Wenyun. Influence of Different Passivation Films on the Performance of InSb Photovoltaic Detector[J]. Infrared Technology , 2020, 42(10): 953-957.
Citation: GONG Xiaoxia, XIAO Tingting, YANG Ruiyu, LI Bingzhe, SHANG Falan, SUN Xiangle, ZHAO Yupeng, CHEN Dongqiong, YANG Wenyun. Influence of Different Passivation Films on the Performance of InSb Photovoltaic Detector[J]. Infrared Technology , 2020, 42(10): 953-957.

不同钝化膜对InSb光伏探测器性能影响研究

详细信息
  • 中图分类号: TN215%TN304.12

Influence of Different Passivation Films on the Performance of InSb Photovoltaic Detector

  • 摘要: 采用3种不同钝化膜制备InSb探测器,测试不同周长/面积比二极管芯片的I-V特性曲线,通过对偏置电压为-0.1 V时的暗电流密度进行比较,分析了表面漏电流对InSb探测器性能的影响.实验结果表明SiO2+SiNx复合膜能大幅度降低器件表面暗电流,C-V测试结果也表明复合钝化膜能大幅度降低了界面固定电荷.将复合钝化膜应用到128×12815μm InSb焦平面探测器上,探测器芯片优值因子R0A≥5×104Ω·cm2,较之前(R0A≈5×103Ω·cm2)得到了极大改善.
  • 期刊类型引用(2)

    1. 朱旭波,李墨,何英杰,吕衍秋. 小像元InSb红外焦平面器件光电性能仿真. 航空兵器. 2022(03): 61-65 . 百度学术
    2. 米南阳,宁提,李忠贺,崔建维. 钝化膜应力对锑化铟器件性能的影响. 红外. 2022(12): 26-29 . 百度学术

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出版历程
  • 网络出版日期:  2020-12-07
  • 刊出日期:  2020-12-09

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