Influence of Different Passivation Films on the Performance of InSb Photovoltaic Detector
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摘要: 采用3种不同钝化膜制备InSb探测器,测试不同周长/面积比二极管芯片的I-V特性曲线,通过对偏置电压为-0.1 V时的暗电流密度进行比较,分析了表面漏电流对InSb探测器性能的影响.实验结果表明SiO2+SiNx复合膜能大幅度降低器件表面暗电流,C-V测试结果也表明复合钝化膜能大幅度降低了界面固定电荷.将复合钝化膜应用到128×12815μm InSb焦平面探测器上,探测器芯片优值因子R0A≥5×104Ω·cm2,较之前(R0A≈5×103Ω·cm2)得到了极大改善.
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1. 朱旭波,李墨,何英杰,吕衍秋. 小像元InSb红外焦平面器件光电性能仿真. 航空兵器. 2022(03): 61-65 . 百度学术
2. 米南阳,宁提,李忠贺,崔建维. 钝化膜应力对锑化铟器件性能的影响. 红外. 2022(12): 26-29 . 百度学术
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