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InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外焦平面探测器

李云涛, 张舟, 丁颜颜, 杨煜, 雷华伟, 汪良衡, 谭必松, 张传杰, 刘斌, 周文洪

李云涛, 张舟, 丁颜颜, 杨煜, 雷华伟, 汪良衡, 谭必松, 张传杰, 刘斌, 周文洪. InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外焦平面探测器[J]. 红外技术, 2019, 41(8): 731-734.
引用本文: 李云涛, 张舟, 丁颜颜, 杨煜, 雷华伟, 汪良衡, 谭必松, 张传杰, 刘斌, 周文洪. InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外焦平面探测器[J]. 红外技术, 2019, 41(8): 731-734.
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LI Yuntao, ZHANG Zhou, DING Yanyan, YANG Yu, LEI Huawei, WANG Liangheng, TAN Bisong, ZHANG Chuanjie, LIU Bin, ZHOU Wenhong. InAs/GaSb TypeⅡ Superlattice Long-wave Infrared Detector[J]. Infrared Technology , 2019, 41(8): 731-734.
Citation: LI Yuntao, ZHANG Zhou, DING Yanyan, YANG Yu, LEI Huawei, WANG Liangheng, TAN Bisong, ZHANG Chuanjie, LIU Bin, ZHOU Wenhong. InAs/GaSb TypeⅡ Superlattice Long-wave Infrared Detector[J]. Infrared Technology , 2019, 41(8): 731-734.
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InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外焦平面探测器

详细信息

  • 中图分类号: TN215

InAs/GaSb TypeⅡ Superlattice Long-wave Infrared Detector

摘要

    摘要
  • 摘要: 武汉高芯科技有限公司从2014年开始制备基于InAs/GaSbⅡ类超晶格的长波红外探测器.在本文中,报道了像元规模为640×512,像元间距为15μm的长波红外焦平面探测器.在77 K时,器件的50％截止波长为10.5μm,峰值量子效率为38.6％,当F数为2、积分时间为0.4 ms时,测得器件的噪声等效温差为26.2mK,且有效像元率达99.71％.本文通过分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)技术与成熟的Ⅲ-Ⅴ族芯片技术,成功地验证了在大于10μm的长波波段,用超晶格代替HgCdTe实现国产化并大规模量产的可行性.
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