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Ge量级大满阱容量脉冲频率调制电路设计

蒋大钊, 丁瑞军

蒋大钊, 丁瑞军. Ge量级大满阱容量脉冲频率调制电路设计[J]. 红外技术, 2019, 41(7): 666-671.
引用本文: 蒋大钊, 丁瑞军. Ge量级大满阱容量脉冲频率调制电路设计[J]. 红外技术, 2019, 41(7): 666-671.
shu
JIANG Dazhao, DING Ruijun. Design of Pulse Frequency Modulation Circuit with Full Capacity at Ge-Level[J]. Infrared Technology , 2019, 41(7): 666-671.
Citation: JIANG Dazhao, DING Ruijun. Design of Pulse Frequency Modulation Circuit with Full Capacity at Ge-Level[J]. Infrared Technology , 2019, 41(7): 666-671.
shu

Ge量级大满阱容量脉冲频率调制电路设计

  • 中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083;中国科学院大学,北京 100049

  • 中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海,200083

  • 中国科学院上海技术物理研究所

详细信息

  • 中图分类号: TN215

Design of Pulse Frequency Modulation Circuit with Full Capacity at Ge-Level

摘要

    摘要
  • 摘要: 本文对一种提高红外焦平面读出电路满阱电荷容量的方法进行了研究.采用了基于脉冲频率调制结构的单元电路,与传统电路相比满阱电荷容量提高了1～2个量级.本文对该像元的电路结构、工作原理与信号误差进行了分析.单元电路前端的调制器将光电流信号调制成一系列固定频率的脉冲信号,计数器记录脉冲个数,脉冲个数与输入的光电流信号成正比,通过脉冲个数来表征光电流的信号量.使用0.35?m 2P4M工艺进行了电路设计与验证.通过测试结果表明,最大电荷容量达到了3.5 Ge,每个电荷包的电荷量为5.46 ke,该方法的电荷容量提高了2个量级.
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