碲镉汞器件光敏元电容测试与分析

碲镉汞器件光敏元电容测试与分析

任士远, 林春, 魏彦锋, 周松敏, 王溪, 郭慧君, 陈路, 丁瑞军, 何力

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任士远, 林春, 魏彦锋, 周松敏, 王溪, 郭慧君, 陈路, 丁瑞军, 何力. 碲镉汞器件光敏元电容测试与分析[J]. 红外技术, 2019, 41(5): 413-417.

引用本文:

任士远, 林春, 魏彦锋, 周松敏, 王溪, 郭慧君, 陈路, 丁瑞军, 何力. 碲镉汞器件光敏元电容测试与分析[J]. 红外技术, 2019, 41(5): 413-417.

REN Shiyuan, LIN Chun, WEI Yanfeng, ZHOU Songmin, WANG Xi, GUO Huijun, CHEN Lu, DING Ruijun, HE Li. Capacitance Measurement and Analysis of Mercury Cadmium Telluride Photosensitive Elements[J]. Infrared Technology , 2019, 41(5): 413-417.

Citation:

REN Shiyuan, LIN Chun, WEI Yanfeng, ZHOU Songmin, WANG Xi, GUO Huijun, CHEN Lu, DING Ruijun, HE Li. Capacitance Measurement and Analysis of Mercury Cadmium Telluride Photosensitive Elements[J]. Infrared Technology , 2019, 41(5): 413-417.

碲镉汞器件光敏元电容测试与分析

中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083;中国科学院大学,北京 100049
中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083;上海科技大学信息科学与技术学院,上海 210210
中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海,200083
中国科学院上海技术物理研究所

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中图分类号: TN305
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出版历程

Capacitance Measurement and Analysis of Mercury Cadmium Telluride Photosensitive Elements

摘要: 报道了液氮温度下对HgCdTe器件进行电容测试的方法.标定了仪器寄生电容以及杜瓦寄生电容,并利用该测试结果计算得到PN结区附近的载流子浓度和相应的深度等数据.对比了碲镉汞常规PN结器件与雪崩光电二极管(APD)器件的耗尽层宽度以及N区载流子浓度.
- HgCdTe /
- 电容 /
- 载流子浓度 /
- 缓变PN结

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