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碲镉汞器件光敏元电容测试与分析

Capacitance Measurement and Analysis of Mercury Cadmium Telluride Photosensitive Elements

    摘要
  • 摘要: 报道了液氮温度下对HgCdTe器件进行电容测试的方法.标定了仪器寄生电容以及杜瓦寄生电容,并利用该测试结果计算得到PN结区附近的载流子浓度和相应的深度等数据.对比了碲镉汞常规PN结器件与雪崩光电二极管(APD)器件的耗尽层宽度以及N区载流子浓度.

     

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