CdS晶片化学机械抛光的表面粗糙度研究
Study of Surface Roughness of CdS in CMP
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摘要: 研究了化学机械抛光(CMP)过程中抛光液组分对硫化镉(CdS)晶片表面粗糙度的影响.通过分析磨粒浓度、氧化剂种类及浓度、pH值对CdS晶片表面粗糙度的影响后,得到了用于CdS晶片Cd面CMP的抛光液配比,即磨粒SiO2浓度为20％,氧化剂NaClO的浓度为2.5％,pH值为10.64.在优化其他工艺条件下,采用该抛光液对CdS晶片Cd面进行抛光,可以获得高质量的抛光表面,经原子力显微镜(AFM)测试,在10μm×10μm的区域内,Cd面表面粗糙度Ra仅为0.171 nm.该抛光液也适用于S面的抛光,S面表面粗糙度Ra可达到0.568 nm,从而达到双面共用的效果.
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