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基于nBn势垒阻挡结构的碲镉汞高温器

HgCdTe HOT Infrared Devices Based on nBn Barrier Impeded Structure

    摘要
  • 摘要: 本文简要介绍了nBn势垒阻挡结构器件的提出、发展过程.讨论了nBn型器件的工作机理及其对暗电流的抑制机理.对比了普通碲镉汞nBn结构器件与经过优化具备俄歇抑制特点的NBvN结构器件的性能.总结了碲镉汞nBn型器件势垒层设计要素及器件价带带阶消除的方法.

     

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