HgCdTe HOT Infrared Devices Based on nBn Barrier Impeded Structure
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摘要: 本文简要介绍了nBn势垒阻挡结构器件的提出、发展过程.讨论了nBn型器件的工作机理及其对暗电流的抑制机理.对比了普通碲镉汞nBn结构器件与经过优化具备俄歇抑制特点的NBvN结构器件的性能.总结了碲镉汞nBn型器件势垒层设计要素及器件价带带阶消除的方法.
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期刊类型引用(2)
1. 陈正超，唐利斌，郝群，王善力，庄继胜，孔金丞，左文彬，姬荣斌. HgCdTe多层异质结红外探测材料与器件研究进展. 红外技术. 2022(09): 889-903 . 
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2. 何温，王丛，田震，王鑫，高达，杨海燕，柏伟. 碲镉汞红外探测器性能调控技术研究. 红外. 2021(12): 6-14 . 百度学术
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