基于nBn势垒阻挡结构的碲镉汞高温器

覃钢, 夏菲, 周笑峰, 洪秀彬, 李俊斌, 杨春章, 李艳辉, 常超, 杨晋, 李东升

覃钢, 夏菲, 周笑峰, 洪秀彬, 李俊斌, 杨春章, 李艳辉, 常超, 杨晋, 李东升. 基于nBn势垒阻挡结构的碲镉汞高温器[J]. 红外技术, 2018, 40(9): 853-862.
引用本文: 覃钢, 夏菲, 周笑峰, 洪秀彬, 李俊斌, 杨春章, 李艳辉, 常超, 杨晋, 李东升. 基于nBn势垒阻挡结构的碲镉汞高温器[J]. 红外技术, 2018, 40(9): 853-862.
QIN Gang, XIA Fei, ZHOU Xiaofeng, HONG Xiubin, LI Junbing, YANG Chunzhang, LI Yanhui, CHANG Chao, YANG Jin, LI Dongsheng. HgCdTe HOT Infrared Devices Based on nBn Barrier Impeded Structure[J]. Infrared Technology , 2018, 40(9): 853-862.
Citation: QIN Gang, XIA Fei, ZHOU Xiaofeng, HONG Xiubin, LI Junbing, YANG Chunzhang, LI Yanhui, CHANG Chao, YANG Jin, LI Dongsheng. HgCdTe HOT Infrared Devices Based on nBn Barrier Impeded Structure[J]. Infrared Technology , 2018, 40(9): 853-862.

基于nBn势垒阻挡结构的碲镉汞高温器

基金项目: 装备预研基金
详细信息
  • 中图分类号: TN304

HgCdTe HOT Infrared Devices Based on nBn Barrier Impeded Structure

  • 摘要: 本文简要介绍了nBn势垒阻挡结构器件的提出、发展过程.讨论了nBn型器件的工作机理及其对暗电流的抑制机理.对比了普通碲镉汞nBn结构器件与经过优化具备俄歇抑制特点的NBvN结构器件的性能.总结了碲镉汞nBn型器件势垒层设计要素及器件价带带阶消除的方法.
  • 期刊类型引用(4)

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