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CdTe钝化膜溅射功率对HgCdTe器件性能的影响研究

林占文, 韩福忠, 李雄军, 耿松, 史琪, 胡彦博, 杨超伟, 林阳

林占文, 韩福忠, 李雄军, 耿松, 史琪, 胡彦博, 杨超伟, 林阳. CdTe钝化膜溅射功率对HgCdTe器件性能的影响研究[J]. 红外技术, 2018, 40(8): 733-738.
引用本文: 林占文, 韩福忠, 李雄军, 耿松, 史琪, 胡彦博, 杨超伟, 林阳. CdTe钝化膜溅射功率对HgCdTe器件性能的影响研究[J]. 红外技术, 2018, 40(8): 733-738.
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LIN Zhanwen, HAN Fuzhong, LI Xiongjun, GENG Song, SHI Qi, HU Yanbo, YANG Chaowei, LIN Yang. Study on the Influence of CdTe Passivation Film Sputtering Power on HgCdTe Device Performance[J]. Infrared Technology , 2018, 40(8): 733-738.
Citation: LIN Zhanwen, HAN Fuzhong, LI Xiongjun, GENG Song, SHI Qi, HU Yanbo, YANG Chaowei, LIN Yang. Study on the Influence of CdTe Passivation Film Sputtering Power on HgCdTe Device Performance[J]. Infrared Technology , 2018, 40(8): 733-738.
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CdTe钝化膜溅射功率对HgCdTe器件性能的影响研究

  • 昆明物理研究所,云南昆明,650223

  • 中国科学院昆明物理研究所

详细信息

  • 中图分类号: TN215

Study on the Influence of CdTe Passivation Film Sputtering Power on HgCdTe Device Performance

摘要

    摘要
  • 摘要: 采用不同的溅射功率在长波HgCdTe(碲镉汞)薄膜表面沉积了CdTe钝化膜,制备了相应的MIS器件和二极管器件,并对器件进行了I-V测试和C-V测试,研究了溅射功率对CdTe钝化膜和器件性能的影响.结果表明,CdTe钝化膜溅射功率由140 W升高到180 W后,沉积速率显著增加,由3.5 nm/min增加到了9.5 nm/min;HgCdTe/钝化层界面固定电荷面密度增大,由2.43×1011 cm-2增大到了2.83×1011 cm-2;慢界面态密度也随溅射功率的增加而增大.
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    1. 徐港，戴永喜，何斌，郑天亮，王娇. CdTe/ZnS膜层致密度对碲镉汞器件性能的影响研究. 红外. 2024(12): 19-25 . 百度学术

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