InSb芯片表面抛光及腐蚀研究

郭胜, 信思树, 龚晓霞, 袁俊, 郭杰

郭胜, 信思树, 龚晓霞, 袁俊, 郭杰. InSb芯片表面抛光及腐蚀研究[J]. 红外技术, 2018, 40(2): 133-138.
引用本文: 郭胜, 信思树, 龚晓霞, 袁俊, 郭杰. InSb芯片表面抛光及腐蚀研究[J]. 红外技术, 2018, 40(2): 133-138.
GUO Sheng, XIN Sishu, GONG Xiaoxia, YUAN Jun, GUO Jie. Research on Surface Polishing and Corrosion of InSb Chip[J]. Infrared Technology , 2018, 40(2): 133-138.
Citation: GUO Sheng, XIN Sishu, GONG Xiaoxia, YUAN Jun, GUO Jie. Research on Surface Polishing and Corrosion of InSb Chip[J]. Infrared Technology , 2018, 40(2): 133-138.

InSb芯片表面抛光及腐蚀研究

基金项目: 国家自然科学基金资助项目(61274137,11304274)%云南省教育厅基金资助项目(2014Z043)
详细信息
  • 中图分类号: TN304%TN215

Research on Surface Polishing and Corrosion of InSb Chip

  • 摘要: 表面抛光及腐蚀是InSb红外焦平面探测器芯片制备的重要工艺.本文针对腐蚀后粗糙表面、腐蚀坑和精抛后"亮点"等问题,分析了压力、转速、抛光料配比、滴料速度等工艺条件对 InSb形貌的影响.实验发现,在压力低于4.5 N、转速低于80 r/min、抛料配比为1:1、滴料速度小于1滴/s或加入氧化剂H2O2时,InSb芯片表面"亮点"得到了有效的解决.采用自行研制的AB腐蚀液对抛光后的材料进行腐蚀,消除损伤层,处理后InSb芯片表面光亮、平整.经表面处理过的芯片制备而得器件所测I-V曲线得出:暗电流大幅降低,R0A为8.16×102?·cm2,黑体探测率D*为3.1× 1010cm·Hz1/2·W-1.
  • 期刊类型引用(2)

    1. 赵超,孔忠弟,董涛,吴卿,折伟林,王小龙,徐鹏艳,李乾,李达,李聪聪. 5英寸锑化铟晶片加工及表征. 人工晶体学报. 2022(12): 2014-2021 . 百度学术
    2. 孔忠弟,赵超,董涛. 锑化铟抛光片表面粗糙度优化研究. 红外. 2022(12): 20-25 . 百度学术

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