NEA GaN和GaAs光电阴极的比较

基金项目: 国家自然科学基金重大研究计划(91433108)

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Comparison of NEA GaN and GaAs Photocathodes

摘要: 针对GaN基光电阴极激活过程中Cs-O交替存在的光电流的增幅问题,本文主要比较了GaN和GaAs材料性质、表面结构以及激活过程中光电阴极的光电流.发现GaN的熔点高于GaAs,在制备GaN基光电阴极时则需要更高的热清洗温度;如果用双偶极子模型描述GaN(1000)和GaAs(100)表面的光电发射机理,GaN(1000)表面Cs原子与O原子形成第二偶极矩O-Cs,几乎"平躺"在表面,对光电发射贡献不大;GaAs(100)表面Cs原子与O原子形成第二偶极矩O-Cs几乎"垂直"于表面,降低了表面功函数,对光电发射贡献很大;Cs-O激活过程中,对于GaAs光电阴极,Cs、O交替过程形成的光电流与单纯Cs激活时的光电流相比,有几倍甚至上百倍的增长;GaN只提高了20%左右.通过第一性原理计算,与现在的GaN基(1000)面相比,GaN基的(1120)和(1010)面是极具潜力的光电发射面;预计闪锌矿GaN基(100)面会取得更好的结果.
- GaN光电阴极 /
- GaAs光电阴极 /
- 表面结构 /
- 光电流 /
- 偶极矩