子像元结构碲镉汞光伏器件暗电流特性的研究

子像元结构碲镉汞光伏器件暗电流特性的研究

乔辉, 李向阳

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乔辉, 李向阳. 子像元结构碲镉汞光伏器件暗电流特性的研究[J]. 红外技术, 2017, 39(6): 489-494.

引用本文:

乔辉, 李向阳. 子像元结构碲镉汞光伏器件暗电流特性的研究[J]. 红外技术, 2017, 39(6): 489-494.

QIAO Hui, LI Xiangyang. Study of the Dark Current Characteristics of Sub-pixel Structure HgCdTe Photovoltaic Detectors[J]. Infrared Technology , 2017, 39(6): 489-494.

Citation:

QIAO Hui, LI Xiangyang. Study of the Dark Current Characteristics of Sub-pixel Structure HgCdTe Photovoltaic Detectors[J]. Infrared Technology , 2017, 39(6): 489-494.

子像元结构碲镉汞光伏器件暗电流特性的研究

乔辉,
李向阳

中国科学院上海技术物理研究所中科院红外成像材料与器件重点实验室,上海,200083
中国科学院上海技术物理研究所

基金项目: 国家自然科学基金(11304335)

详细信息

中图分类号: TN215
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出版历程

Study of the Dark Current Characteristics of Sub-pixel Structure HgCdTe Photovoltaic Detectors

摘要: 针对碲镉汞光伏器件的暗电流随着物理面积增大而急剧增加,研究了子像元结构在降低大面积短波碲镉汞光伏器件暗电流方面的有效性.发现子像元结构在室温下相比常规结构可以有效降低器件的暗电流,但当温度降到180 K时,常规结构器件反而具有最小的暗电流,经过分析认为是子像元边界处引入的表面漏电所致.如果器件的表面态密度和表面固定电荷过多,会使得子像元边界在低温下引入表面隧穿电流和表面欧姆电流,这些与边界有关的表面漏电会成为低温下暗电流的主要成分,从而使子像元结构失去降低器件暗电流的优势.文章中同时给出了低温下子像元结构可以有效降低器件暗电流的条件,并针对不同的子像元结构,提出了漏电体积这一参量来评价不同结构子像元降低器件暗电流的效果.
- 暗电流 /
- 子像元 /
- 光伏器件 /
- 漏电体积 /
- 碲镉汞

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