Review of HOT MW Infrared Detector Using MCT Technology
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摘要: 介绍了欧美发达国家在高工作温度碲镉汞中波红外探测器上的工艺技术路线及典型产品技术指标.对昆明物理研究所研制的基于标准n-on-p(Hg空位掺杂)工艺的中波640×512(15 μm)探测器进行了高工作温度性能测试,测试结果显示器件性能基本达到国外产品的同期研制水平.
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关键词:
- 碲镉汞 /
- 高工作温度 /
- 红外探测器 /
- 标准n-on-p工艺
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