摘要: 利用射频溅射方法制备了非晶态Hg1-xCdxTe薄膜(x=O,0.22,0.50,0.66,1),在80 K～300K温度范围内,研究了Cd组分x对暗电导的影响.当温度T＞210 K时,随着Cd组分增加,暗电导减小;当温度T＜210K,随着Cd组分增加,则暗电导增大;当温度T=210K时,暗电导几乎与Cd组分无关.这可能是由于随着Cd组分增加,薄膜中的缺陷增加所致.a-Hg1-xCdxTe (x=0、0.22、0.50、0.66和1)薄膜中存在扩展态电导和局域态电导,Cd组分x越大,两种导电机制的转变温度Tm也越高.在T=300 K时,利用暗电导的激活能估算出了非晶态Hg1-xCdxTe薄膜的迁移率隙Eg,随着Cd组分x增加,迁移率隙Eg微弱减小.