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红外探测器用PbSe薄膜的研究现状

孙喜桂, 高克玮, 庞晓露, 杨会生

孙喜桂, 高克玮, 庞晓露, 杨会生. 红外探测器用PbSe薄膜的研究现状[J]. 红外技术, 2016, 38(12): 1005-1019.
引用本文: 孙喜桂, 高克玮, 庞晓露, 杨会生. 红外探测器用PbSe薄膜的研究现状[J]. 红外技术, 2016, 38(12): 1005-1019.
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SUN Xigui, GAO Kewei, PANG Xiaolu, YANG Huisheng. Research Status of Lead Selenide Thin Films Used for Infrared Detectors[J]. Infrared Technology , 2016, 38(12): 1005-1019.
Citation: SUN Xigui, GAO Kewei, PANG Xiaolu, YANG Huisheng. Research Status of Lead Selenide Thin Films Used for Infrared Detectors[J]. Infrared Technology , 2016, 38(12): 1005-1019.
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红外探测器用PbSe薄膜的研究现状

  • 北京科技大学材料学院，北京 10083

  • 北京科技大学

基金项目: 国家自然科学基金(51271022)%中央高校基本科研业务费专项资助项目(FRF-TP-14-008A2)。
详细信息

  • 中图分类号: TN36

Research Status of Lead Selenide Thin Films Used for Infrared Detectors

摘要

    摘要
  • 摘要: PbSe薄膜作为一种窄禁带半导体材料，因其具有优异的室温光电敏感性和响应度而被广泛用于制造硒化铅红外探测器。本文归纳和总结了 PbSe 薄膜的性能特点、制备工艺、后期处理工艺、理论研究方向以及国内外PbSe红外探测器的研究现状等内容，并在此基础上，探讨了PbSe红外探测薄膜材料及器件未来可能的发展方向。
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