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红外探测器用PbSe薄膜的研究现状

Research Status of Lead Selenide Thin Films Used for Infrared Detectors

    摘要
  • 摘要: PbSe薄膜作为一种窄禁带半导体材料，因其具有优异的室温光电敏感性和响应度而被广泛用于制造硒化铅红外探测器。本文归纳和总结了 PbSe 薄膜的性能特点、制备工艺、后期处理工艺、理论研究方向以及国内外PbSe红外探测器的研究现状等内容，并在此基础上，探讨了PbSe红外探测薄膜材料及器件未来可能的发展方向。

     

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