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n-on-p锑化铟薄膜的液相外延生长

李忠良, 陈建才, 叶薇, 李增寿, 刘世能

李忠良, 陈建才, 叶薇, 李增寿, 刘世能. n-on-p锑化铟薄膜的液相外延生长[J]. 红外技术, 2016, 38(7): 577-580.
引用本文: 李忠良, 陈建才, 叶薇, 李增寿, 刘世能. n-on-p锑化铟薄膜的液相外延生长[J]. 红外技术, 2016, 38(7): 577-580.
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LI Zhongliang, CHEN Jiancai, YE Wei, LI Zengshou, LIU Shineng. Liquid Phase Epitaxy of n-on-p InSb Film[J]. Infrared Technology , 2016, 38(7): 577-580.
Citation: LI Zhongliang, CHEN Jiancai, YE Wei, LI Zengshou, LIU Shineng. Liquid Phase Epitaxy of n-on-p InSb Film[J]. Infrared Technology , 2016, 38(7): 577-580.
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n-on-p锑化铟薄膜的液相外延生长

  • 昆明物理研究所,云南昆明,650223

  • 中国科学院昆明物理研究所

详细信息

  • 中图分类号: O742%O75

Liquid Phase Epitaxy of n-on-p InSb Film

摘要

    摘要
  • 摘要: 用水平开管液相外延技术在锑化铟衬底上用富铟锑化铟母液生长锑化铟薄膜材料,薄膜材料具有n-on-p结构,衬底为p型层,掺Ge,浓度1×1015～5×1016 cm-3;薄膜为n型层,掺Te,薄膜面积20 cm×25 cm,厚度2～3 μm,表面平整度±0.2 μm,浓度1×1017～5×1018 cm-3.n-on-p锑化铟薄膜材料能满足制作的中波红外焦平面器件要求.
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