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n-on-p锑化铟薄膜的液相外延生长

Liquid Phase Epitaxy of n-on-p InSb Film

    摘要
  • 摘要: 用水平开管液相外延技术在锑化铟衬底上用富铟锑化铟母液生长锑化铟薄膜材料,薄膜材料具有n-on-p结构,衬底为p型层,掺Ge,浓度1×1015～5×1016 cm-3;薄膜为n型层,掺Te,薄膜面积20 cm×25 cm,厚度2～3 μm,表面平整度±0.2 μm,浓度1×1017～5×1018 cm-3.n-on-p锑化铟薄膜材料能满足制作的中波红外焦平面器件要求.

     

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