Dissecting the Influence of Indium Bumps for Flip-chip
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摘要: 制作了2种形式的铟凸点:即直接蒸发沉积的铟柱和将铟柱回流得到的铟球.分别讨论了铟柱和铟球对倒装互连的影响,着重讨论了铟球和铟柱分别和芯片倒装互连后的剪切强度,结果发现在互连未回流的状态下铟球的剪切强度是铟柱的1.5倍,回流后铟球的剪切强度是铟柱的2.8倍.此外,分析讨论了长时间放置在空气中的铟球对倒装互连的影响,结果发现长时间放置在空气中的铟球和芯片互连后,器件的电学与机械连通性能会受到很大的影响.
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期刊类型引用(3)
1. 陈辉,杨天溪,蒋冰鑫,张文靖,兰金华,黄忠航,孙捷,严群. 小间距下光刻孔孔径对铟凸点阵列制备的影响. 光电子技术. 2024(03): 190-194 . 百度学术
2. 张鹏,马毅,聂媛. 不同像元间距红外探测器的铟柱生长研究. 红外. 2023(07): 1-7 . 百度学术
3. 张鹏,冯晓宇,张轶. 铟柱高度快速测量方法研究. 红外. 2022(02): 15-21 . 百度学术
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