铟凸点对倒装互连影响的研究

铟凸点对倒装互连影响的研究

杨超伟, 闫常善, 王琼芳, 李京辉, 韩福忠, 封远庆, 杨毕春, 左大凡, 赵丽, 俞见云

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杨超伟, 闫常善, 王琼芳, 李京辉, 韩福忠, 封远庆, 杨毕春, 左大凡, 赵丽, 俞见云. 铟凸点对倒装互连影响的研究[J]. 红外技术, 2016, 38(4): 310-314.

引用本文:

杨超伟, 闫常善, 王琼芳, 李京辉, 韩福忠, 封远庆, 杨毕春, 左大凡, 赵丽, 俞见云. 铟凸点对倒装互连影响的研究[J]. 红外技术, 2016, 38(4): 310-314.

Dissecting the Influence of Indium Bumps for Flip-chip[J]. Infrared Technology , 2016, 38(4): 310-314.

Citation:

Dissecting the Influence of Indium Bumps for Flip-chip[J]. Infrared Technology , 2016, 38(4): 310-314.

铟凸点对倒装互连影响的研究

昆明物理研究所,云南昆明,650223
中国人民解放军驻298厂军代室,云南昆明,650114
中国科学院昆明物理研究所
中国人民解放军驻298厂

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中图分类号: TN215
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出版历程

Dissecting the Influence of Indium Bumps for Flip-chip

摘要: 制作了2种形式的铟凸点:即直接蒸发沉积的铟柱和将铟柱回流得到的铟球.分别讨论了铟柱和铟球对倒装互连的影响,着重讨论了铟球和铟柱分别和芯片倒装互连后的剪切强度,结果发现在互连未回流的状态下铟球的剪切强度是铟柱的1.5倍,回流后铟球的剪切强度是铟柱的2.8倍.此外,分析讨论了长时间放置在空气中的铟球对倒装互连的影响,结果发现长时间放置在空气中的铟球和芯片互连后,器件的电学与机械连通性能会受到很大的影响.
- 铟凸点 /
- 铟柱 /
- 铟球 /
- 倒装互连

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