铟凸点对倒装互连影响的研究
Dissecting the Influence of Indium Bumps for Flip-chip
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摘要: 制作了2种形式的铟凸点:即直接蒸发沉积的铟柱和将铟柱回流得到的铟球.分别讨论了铟柱和铟球对倒装互连的影响,着重讨论了铟球和铟柱分别和芯片倒装互连后的剪切强度,结果发现在互连未回流的状态下铟球的剪切强度是铟柱的1.5倍,回流后铟球的剪切强度是铟柱的2.8倍.此外,分析讨论了长时间放置在空气中的铟球对倒装互连的影响,结果发现长时间放置在空气中的铟球和芯片互连后,器件的电学与机械连通性能会受到很大的影响.
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