碲镉汞红外焦平面器件表面复合膜层钝化技术

基金项目: 国防基础科研项目。

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Passivation Technology of Composite Film on the HgCdTe IRFPA

摘要: 碲镉汞（Hg1－xCdxTe）红外器件的制备过程中，表面钝化工艺对于器件性能具有很大影响。通过实验，研究了溅射功率、靶基距、基片摆动角度等工艺参数对碲镉汞衬底上制备的 CdTe/ZnS 复合钝化膜层质量的影响。实验结果表明，当 CdTe 与 ZnS 溅射靶功率分布为140 W 与350 W，靶基距为40cm，基片摆动角度为±30°时，中心2英寸区域膜层非均匀性达到±3%以内，同时钝化膜层表面粗糙度与附着能力获得了较大改善。
- 碲镉汞 /
- 红外探测器 /
- 表面钝化 /
- 膜层非均匀性

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