摘要: Ⅴ族元素 As 在碲镉汞中具有较小的扩散系数，在非本征 p 型掺杂中得到广泛应用，在 p-on-n型高性能探测器及双色或多色探测器应用方面优势明显。对分子束外延掺 As 碲镉汞薄膜的几种生长技术的基本原理进行了简单介绍，并对各方法存在的优缺点进行了对比分析；同时对 As 杂质在碲镉汞材料中的掺杂形态、杂质激活退火工艺及杂质激活率等进行了总结分析。对 MBE As 掺杂在第三代多层膜结构器件的应用方面提出了建议。