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分子束外延碲镉汞薄膜的砷掺杂技术

覃钢, 李东升

覃钢, 李东升. 分子束外延碲镉汞薄膜的砷掺杂技术[J]. 红外技术, 2015, (10): 858-863.
引用本文: 覃钢, 李东升. 分子束外延碲镉汞薄膜的砷掺杂技术[J]. 红外技术, 2015, (10): 858-863.
shu
QIN Gang, LI Dong-sheng. The As-doping Technique of HgCdTe Thin Film by MBE[J]. Infrared Technology , 2015, (10): 858-863.
Citation: QIN Gang, LI Dong-sheng. The As-doping Technique of HgCdTe Thin Film by MBE[J]. Infrared Technology , 2015, (10): 858-863.
shu

分子束外延碲镉汞薄膜的砷掺杂技术

  • 昆明物理研究所,云南 昆明,650223

  • 中国科学院昆明物理研究所

基金项目: 核高基项目。
详细信息

  • 中图分类号: TN304

The As-doping Technique of HgCdTe Thin Film by MBE

摘要

    摘要
  • 摘要: Ⅴ族元素 As 在碲镉汞中具有较小的扩散系数，在非本征 p 型掺杂中得到广泛应用，在 p-on-n型高性能探测器及双色或多色探测器应用方面优势明显。对分子束外延掺 As 碲镉汞薄膜的几种生长技术的基本原理进行了简单介绍，并对各方法存在的优缺点进行了对比分析；同时对 As 杂质在碲镉汞材料中的掺杂形态、杂质激活退火工艺及杂质激活率等进行了总结分析。对 MBE As 掺杂在第三代多层膜结构器件的应用方面提出了建议。
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