分子束外延碲镉汞薄膜的砷掺杂技术

覃钢, 李东升

覃钢, 李东升. 分子束外延碲镉汞薄膜的砷掺杂技术[J]. 红外技术, 2015, (10): 858-863.
引用本文: 覃钢, 李东升. 分子束外延碲镉汞薄膜的砷掺杂技术[J]. 红外技术, 2015, (10): 858-863.
QIN Gang, LI Dong-sheng. The As-doping Technique of HgCdTe Thin Film by MBE[J]. Infrared Technology , 2015, (10): 858-863.
Citation: QIN Gang, LI Dong-sheng. The As-doping Technique of HgCdTe Thin Film by MBE[J]. Infrared Technology , 2015, (10): 858-863.

分子束外延碲镉汞薄膜的砷掺杂技术

基金项目: 核高基项目。
详细信息
  • 中图分类号: TN304

The As-doping Technique of HgCdTe Thin Film by MBE

  • 摘要: Ⅴ族元素 As 在碲镉汞中具有较小的扩散系数,在非本征 p 型掺杂中得到广泛应用,在 p-on-n型高性能探测器及双色或多色探测器应用方面优势明显。对分子束外延掺 As 碲镉汞薄膜的几种生长技术的基本原理进行了简单介绍,并对各方法存在的优缺点进行了对比分析;同时对 As 杂质在碲镉汞材料中的掺杂形态、杂质激活退火工艺及杂质激活率等进行了总结分析。对 MBE As 掺杂在第三代多层膜结构器件的应用方面提出了建议。
  • 期刊类型引用(4)

    1. 王文金,孔金丞,起文斌,张阳,宋林伟,吴军,赵文,俞见云,覃钢. 基于VLPE技术的碲镉汞p-on-n双层异质结材料与器件研究进展. 红外技术. 2024(03): 233-245 . 本站查看
    2. 沈川,陈路,卜顺栋,刘仰融,何力. 高温热退火对多层P-on-N结构HgCdTe的界面影响. 红外与毫米波学报. 2021(02): 156-160 . 百度学术
    3. 赵真典,陈路,傅祥良,王伟强,沈川,张彬,卜顺栋,王高,杨凤,何力. MBE生长碲镉汞的砷掺入与激活. 红外与毫米波学报. 2017(05): 575-580 . 百度学术
    4. 李维,武腾飞,王宇. 焦平面红外探测器研究进展. 计测技术. 2016(01): 1-4+37 . 百度学术

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