The Photoelectrical Properties of VOxFilm by As-deposited SiOxDielectric Layer
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摘要: 氧化硅（SiOx）原位钝化层对氧化钒（VOx）薄膜电学特性的影响分析旨在改善像元微桥结构的光学吸收特性，提高热敏VOx薄膜层的方阻和电阻温度系数（TCR）稳定性。采用离子束溅射沉积50nm VOx薄膜后，紧接着沉积30nm SiOx钝化层。通过原位残余气体分析仪（RGA）和衬底温度控制，调节氧化钒薄膜中的氧含量，分析了VOx单层膜、SiOx/VOx双层膜的电学特性随工艺温度的变化规律，原位残余气体分析仪（RGA）和150℃加温工艺提高了VOx热敏层薄膜的方阻和电阻温度系数稳定性。
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关键词:
- 离子束溅射沉积 /
- SiOx/VOx双层膜 /
- 残余气体分析仪(RGA) /
- 电阻温度系数(TCR)
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