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原位氧化硅钝化层对氧化钒薄膜光电特性的影响

孔令德, 方辉, 魏虹, 刘礼, 周润生, 铁筱滢, 杨文运, 姬荣斌

孔令德, 方辉, 魏虹, 刘礼, 周润生, 铁筱滢, 杨文运, 姬荣斌. 原位氧化硅钝化层对氧化钒薄膜光电特性的影响[J]. 红外技术, 2015, (4): 319-322.
引用本文: 孔令德, 方辉, 魏虹, 刘礼, 周润生, 铁筱滢, 杨文运, 姬荣斌. 原位氧化硅钝化层对氧化钒薄膜光电特性的影响[J]. 红外技术, 2015, (4): 319-322.
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KONG Ling-de, FANG Hui, WEI Hong, LIU Li, ZHOU Ruan-sheng, TIE Xiao-ying, YANG Wen-yun, JI Rong-bin. The Photoelectrical Properties of VOxFilm by As-deposited SiOxDielectric Layer[J]. Infrared Technology , 2015, (4): 319-322.
Citation: KONG Ling-de, FANG Hui, WEI Hong, LIU Li, ZHOU Ruan-sheng, TIE Xiao-ying, YANG Wen-yun, JI Rong-bin. The Photoelectrical Properties of VOxFilm by As-deposited SiOxDielectric Layer[J]. Infrared Technology , 2015, (4): 319-322.
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原位氧化硅钝化层对氧化钒薄膜光电特性的影响

  • 昆明物理研究所,云南昆明,650223

  • 北方广微科技有限公司,北京,100089

  • 中国科学院昆明物理研究所

  • 北方广微科技有限公司

详细信息

  • 中图分类号: TN215

The Photoelectrical Properties of VOxFilm by As-deposited SiOxDielectric Layer

摘要

    摘要
  • 摘要: 氧化硅（SiOx）原位钝化层对氧化钒（VOx）薄膜电学特性的影响分析旨在改善像元微桥结构的光学吸收特性，提高热敏VOx薄膜层的方阻和电阻温度系数（TCR）稳定性。采用离子束溅射沉积50nm VOx薄膜后，紧接着沉积30nm SiOx钝化层。通过原位残余气体分析仪（RGA）和衬底温度控制，调节氧化钒薄膜中的氧含量，分析了VOx单层膜、SiOx/VOx双层膜的电学特性随工艺温度的变化规律，原位残余气体分析仪（RGA）和150℃加温工艺提高了VOx热敏层薄膜的方阻和电阻温度系数稳定性。
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    1. 张昕，丁雷. 微弱光谱信号低噪声信息获取和处理技术研究. 半导体光电. 2019(04): 575-580 . 百度学术

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