高级检索
ENGLISH

N2对碲镉汞干法刻蚀诱导损伤的影响

龚晓丹, 韩福忠

龚晓丹, 韩福忠. N2对碲镉汞干法刻蚀诱导损伤的影响[J]. 红外技术, 2015, (4): 315-321,322.
引用本文: 龚晓丹, 韩福忠. N2对碲镉汞干法刻蚀诱导损伤的影响[J]. 红外技术, 2015, (4): 315-321,322.
shu
GONG Xiao-dan, HAN Fu-zhong. The Effect of N2 for Dry Etching Induced Damage of HgCdTe[J]. Infrared Technology , 2015, (4): 315-321,322.
Citation: GONG Xiao-dan, HAN Fu-zhong. The Effect of N2 for Dry Etching Induced Damage of HgCdTe[J]. Infrared Technology , 2015, (4): 315-321,322.
shu

N2对碲镉汞干法刻蚀诱导损伤的影响

  • 昆明物理研究所,云南昆明,650223

  • 中国科学院昆明物理研究所

详细信息

  • 中图分类号: TN305.7

The Effect of N2 for Dry Etching Induced Damage of HgCdTe

摘要

    摘要
  • 摘要: 报道了碲镉汞（HgCdTe）干法刻蚀诱导损伤的相关研究。由于干法刻蚀过程中，刻蚀剂主要采用CH4/H2，其裂解产生的H容易扩散到材料内部引起材料的电学性质发生改变，从而产生刻蚀诱导损伤。通过在刻蚀剂中引入一定量的N2，可以抑制H对材料电学性质的改变作用。
    • HTML全文
    • 参考文献(0)
    • 相关文章
    • 施引文献(2)

  • 期刊类型引用(1)

    1. 张昕，丁雷. 微弱光谱信号低噪声信息获取和处理技术研究. 半导体光电. 2019(04): 575-580 . 百度学术

    其他类型引用(1)

    • 资源附件(0)
计量
  • 文章访问数:  89
  • HTML全文浏览量:  18
  • PDF下载量:  15
  • 被引次数: 2
出版历程

目录

摘要
HTML全文
    参考文献(0)
    相关文章
    施引文献(2)
    资源附件(0)

    /

    返回文章
    返回

    版权所有 © 《红外技术》编辑部滇ICP备12000354号-3

    本系统由 北京仁和汇智信息技术有限公司 开发  百度统计