摘要: 报道了碲镉汞（HgCdTe）干法刻蚀诱导损伤的相关研究。由于干法刻蚀过程中，刻蚀剂主要采用CH4/H2，其裂解产生的H容易扩散到材料内部引起材料的电学性质发生改变，从而产生刻蚀诱导损伤。通过在刻蚀剂中引入一定量的N2，可以抑制H对材料电学性质的改变作用。