高级检索
ENGLISH

碲镉汞干法刻蚀速率的微负载效应研究

龚晓丹, 韩福忠

龚晓丹, 韩福忠. 碲镉汞干法刻蚀速率的微负载效应研究[J]. 红外技术, 2014, (10): 832-835.
引用本文: 龚晓丹, 韩福忠. 碲镉汞干法刻蚀速率的微负载效应研究[J]. 红外技术, 2014, (10): 832-835.
shu
GONG Xiao-dan, HAN Fu-zhong. Study on Micro-loading Effect of Etching Rate of Dry Etching for HgCdTe[J]. Infrared Technology , 2014, (10): 832-835.
Citation: GONG Xiao-dan, HAN Fu-zhong. Study on Micro-loading Effect of Etching Rate of Dry Etching for HgCdTe[J]. Infrared Technology , 2014, (10): 832-835.
shu

碲镉汞干法刻蚀速率的微负载效应研究

  • 昆明物理研究所,云南昆明,650223

  • 中国科学院昆明物理研究所

详细信息

  • 中图分类号: TN215

Study on Micro-loading Effect of Etching Rate of Dry Etching for HgCdTe

摘要

    摘要
  • 摘要: 报道了碲镉汞干法刻蚀技术的刻蚀速率的一些研究结果。在同样的刻蚀条件下，当刻蚀区域的图形面积过小，刻蚀剂不易进入刻蚀区域，生成物也不易快速转移出去，使刻蚀速率变慢，这种效应可以等效于刻蚀的微负载效应。而当刻蚀区域的面积过大，刻蚀剂很快被消耗，也会使刻蚀速率变慢，这种效应称为负载效应。采用在同一碲镉汞芯片上制作不同刻蚀面积区域进行刻蚀，比较不同刻蚀面积对刻蚀速率的影响。
    • HTML全文
    • 参考文献(0)
    • 相关文章
    • 施引文献
    • 资源附件(0)
计量
  • 文章访问数:  76
  • HTML全文浏览量:  20
  • PDF下载量:  19
  • 被引次数: 0
出版历程

目录

摘要
HTML全文
    参考文献(0)
    相关文章
    施引文献
    资源附件(0)

    /

    返回文章
    返回

    版权所有 © 《红外技术》编辑部京ICP备000000000号-1

    本系统由 北京仁和汇智信息技术有限公司 开发  百度统计