碲镉汞干法刻蚀速率的微负载效应研究

龚晓丹, 韩福忠

龚晓丹, 韩福忠. 碲镉汞干法刻蚀速率的微负载效应研究[J]. 红外技术, 2014, (10): 832-835.
引用本文: 龚晓丹, 韩福忠. 碲镉汞干法刻蚀速率的微负载效应研究[J]. 红外技术, 2014, (10): 832-835.
GONG Xiao-dan, HAN Fu-zhong. Study on Micro-loading Effect of Etching Rate of Dry Etching for HgCdTe[J]. Infrared Technology , 2014, (10): 832-835.
Citation: GONG Xiao-dan, HAN Fu-zhong. Study on Micro-loading Effect of Etching Rate of Dry Etching for HgCdTe[J]. Infrared Technology , 2014, (10): 832-835.

碲镉汞干法刻蚀速率的微负载效应研究

详细信息
  • 中图分类号: TN215

Study on Micro-loading Effect of Etching Rate of Dry Etching for HgCdTe

  • 摘要: 报道了碲镉汞干法刻蚀技术的刻蚀速率的一些研究结果。在同样的刻蚀条件下,当刻蚀区域的图形面积过小,刻蚀剂不易进入刻蚀区域,生成物也不易快速转移出去,使刻蚀速率变慢,这种效应可以等效于刻蚀的微负载效应。而当刻蚀区域的面积过大,刻蚀剂很快被消耗,也会使刻蚀速率变慢,这种效应称为负载效应。采用在同一碲镉汞芯片上制作不同刻蚀面积区域进行刻蚀,比较不同刻蚀面积对刻蚀速率的影响。
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