变掺杂GaAs光电阴极吸收系数的表征

牛军, 王萍, 钱芸生, 常本康

牛军, 王萍, 钱芸生, 常本康. 变掺杂GaAs光电阴极吸收系数的表征[J]. 红外技术, 2014, (7): 592-595.
引用本文: 牛军, 王萍, 钱芸生, 常本康. 变掺杂GaAs光电阴极吸收系数的表征[J]. 红外技术, 2014, (7): 592-595.
NIU Jun, WANG Ping, QIAN Yun-Sheng, CHANG Ben-kang. Characterization of the Absorption Coefficient of Varied Doped GaAs Photocathodes[J]. Infrared Technology , 2014, (7): 592-595.
Citation: NIU Jun, WANG Ping, QIAN Yun-Sheng, CHANG Ben-kang. Characterization of the Absorption Coefficient of Varied Doped GaAs Photocathodes[J]. Infrared Technology , 2014, (7): 592-595.

变掺杂GaAs光电阴极吸收系数的表征

基金项目: 国家自然科学基金,编号61240042,61301023。
详细信息
  • 中图分类号: TN223

Characterization of the Absorption Coefficient of Varied Doped GaAs Photocathodes

  • 摘要: 确定阴极材料的光子吸收系数,是开展变掺杂GaAs光电阴极光电发射性能理论研究的重要条件之一。分析了变掺杂阴极的结构特点,提出了材料等效光子吸收系数的概念,并给出了等效光子吸收系数的计算方法。设计了变掺杂阴极样品并进行了阴极Cs、O激活实验,理论计算了材料的等效光子吸收系数并对激活后的阴极量子效率进行了拟合仿真,拟合曲线同实验曲线非常一致,证明了该计算方法的有效性。
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    2024年6月6日