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InP基PIN型探测器中接触层掺杂对In0.53Ga0.47As材料光致发光特性的影响

吴波, 邓军, 杨利鹏, 田迎, 韩军, 李建军, 史衍丽

吴波, 邓军, 杨利鹏, 田迎, 韩军, 李建军, 史衍丽. InP基PIN型探测器中接触层掺杂对In0.53Ga0.47As材料光致发光特性的影响[J]. 红外技术, 2014, 36(5): 415-418.
引用本文: 吴波, 邓军, 杨利鹏, 田迎, 韩军, 李建军, 史衍丽. InP基PIN型探测器中接触层掺杂对In0.53Ga0.47As材料光致发光特性的影响[J]. 红外技术, 2014, 36(5): 415-418.
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WU Bo, DENG Jun, YANG Li-peng, TIAN Ying, HAN Jun, LI Jian-jun, SHI Yan-li. The Influences of Contact Layer Doping on the PL Spectrum Properties of In0.53Ga0.47As Materials in InP Base PIN Detector[J]. Infrared Technology , 2014, 36(5): 415-418.
Citation: WU Bo, DENG Jun, YANG Li-peng, TIAN Ying, HAN Jun, LI Jian-jun, SHI Yan-li. The Influences of Contact Layer Doping on the PL Spectrum Properties of In0.53Ga0.47As Materials in InP Base PIN Detector[J]. Infrared Technology , 2014, 36(5): 415-418.
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InP基PIN型探测器中接触层掺杂对In0.53Ga0.47As材料光致发光特性的影响

  • 北京工业大学电子信息与控制工程控学院光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京,100124

  • 昆明物理研究所,云南昆明,650223

  • 北京工业大学

  • 中国科学院昆明物理研究所

基金项目: 国家自然科学基金(U1037602)
详细信息

  • 中图分类号: TN304.054

The Influences of Contact Layer Doping on the PL Spectrum Properties of In0.53Ga0.47As Materials in InP Base PIN Detector

摘要

    摘要
  • 摘要: 利用MOCVD在InP衬底上制备InP/In0.53 Ga0.47As/InP双异质结PIN型材料,通过对本征层In0.53Ga0.47As材料的光致荧光谱研究,发现PIN结构中两侧InP材料的掺杂特性对中间In0.53Ga0.47As材料的光致发光特性有明显的影响.本文通过对两侧InP材料的变掺杂处理,实现了In0.53Ga0.47As材料光致发光特性的有效提高.
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