InP基PIN型探测器中接触层掺杂对In0.53Ga0.47As材料光致发光特性的影响
The Influences of Contact Layer Doping on the PL Spectrum Properties of In0.53Ga0.47As Materials in InP Base PIN Detector
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摘要: 利用MOCVD在InP衬底上制备InP/In0.53 Ga0.47As/InP双异质结PIN型材料,通过对本征层In0.53Ga0.47As材料的光致荧光谱研究,发现PIN结构中两侧InP材料的掺杂特性对中间In0.53Ga0.47As材料的光致发光特性有明显的影响.本文通过对两侧InP材料的变掺杂处理,实现了In0.53Ga0.47As材料光致发光特性的有效提高.
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