InP基PIN型探测器中接触层掺杂对In0.53Ga0.47As材料光致发光特性的影响

吴波, 邓军, 杨利鹏, 田迎, 韩军, 李建军, 史衍丽

吴波, 邓军, 杨利鹏, 田迎, 韩军, 李建军, 史衍丽. InP基PIN型探测器中接触层掺杂对In0.53Ga0.47As材料光致发光特性的影响[J]. 红外技术, 2014, 36(5): 415-418.
引用本文: 吴波, 邓军, 杨利鹏, 田迎, 韩军, 李建军, 史衍丽. InP基PIN型探测器中接触层掺杂对In0.53Ga0.47As材料光致发光特性的影响[J]. 红外技术, 2014, 36(5): 415-418.
WU Bo, DENG Jun, YANG Li-peng, TIAN Ying, HAN Jun, LI Jian-jun, SHI Yan-li. The Influences of Contact Layer Doping on the PL Spectrum Properties of In0.53Ga0.47As Materials in InP Base PIN Detector[J]. Infrared Technology , 2014, 36(5): 415-418.
Citation: WU Bo, DENG Jun, YANG Li-peng, TIAN Ying, HAN Jun, LI Jian-jun, SHI Yan-li. The Influences of Contact Layer Doping on the PL Spectrum Properties of In0.53Ga0.47As Materials in InP Base PIN Detector[J]. Infrared Technology , 2014, 36(5): 415-418.

InP基PIN型探测器中接触层掺杂对In0.53Ga0.47As材料光致发光特性的影响

基金项目: 国家自然科学基金(U1037602)
详细信息
  • 中图分类号: TN304.054

The Influences of Contact Layer Doping on the PL Spectrum Properties of In0.53Ga0.47As Materials in InP Base PIN Detector

  • 摘要: 利用MOCVD在InP衬底上制备InP/In0.53 Ga0.47As/InP双异质结PIN型材料,通过对本征层In0.53Ga0.47As材料的光致荧光谱研究,发现PIN结构中两侧InP材料的掺杂特性对中间In0.53Ga0.47As材料的光致发光特性有明显的影响.本文通过对两侧InP材料的变掺杂处理,实现了In0.53Ga0.47As材料光致发光特性的有效提高.
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