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碲镉汞长波探测器暗电流仿真分析

李龙, 孙浩, 朱西安

李龙, 孙浩, 朱西安. 碲镉汞长波探测器暗电流仿真分析[J]. 红外技术, 2014, (1): 73-78.
引用本文: 李龙, 孙浩, 朱西安. 碲镉汞长波探测器暗电流仿真分析[J]. 红外技术, 2014, (1): 73-78.
shu
LI Long, SUN Hao, ZHU Xian. Simulation Analysis of Dark Current in Long Wavelength Infrared HgCdTe Photodiodes[J]. Infrared Technology , 2014, (1): 73-78.
Citation: LI Long, SUN Hao, ZHU Xian. Simulation Analysis of Dark Current in Long Wavelength Infrared HgCdTe Photodiodes[J]. Infrared Technology , 2014, (1): 73-78.
shu

碲镉汞长波探测器暗电流仿真分析

  • 华北光电技术研究所,北京,100015

  • 华北光电技术研究所

详细信息

  • 中图分类号: TN215

Simulation Analysis of Dark Current in Long Wavelength Infrared HgCdTe Photodiodes

摘要

    摘要
  • 摘要: 针对n-on-p型长波Hg1-xCdxTe红外探测器的暗电流进行建模分析，分析了不同机制对暗电流的影响，仿真分析结果和实际结果能够较好地匹配。得出探测器的工作状态暗电流Idark＝9×10-10 A，工作电阻Rr＝109?，品质因子R0A＝20?cm2。从仿真分析结果得出，在现有工艺下，Shockley-Read-Hall （SRH）复合和表面漏电是影响暗电流的最主要的非本征因素，其中SRH复合速率为2×1016/s?cm3，当表面态到达1×1012 cm-2，器件会出现严重的表面沟道。
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