碲镉汞长波探测器暗电流仿真分析
Simulation Analysis of Dark Current in Long Wavelength Infrared HgCdTe Photodiodes
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摘要: 针对n-on-p型长波Hg1-xCdxTe红外探测器的暗电流进行建模分析，分析了不同机制对暗电流的影响，仿真分析结果和实际结果能够较好地匹配。得出探测器的工作状态暗电流Idark＝9×10-10 A，工作电阻Rr＝109?，品质因子R0A＝20?cm2。从仿真分析结果得出，在现有工艺下，Shockley-Read-Hall （SRH）复合和表面漏电是影响暗电流的最主要的非本征因素，其中SRH复合速率为2×1016/s?cm3，当表面态到达1×1012 cm-2，器件会出现严重的表面沟道。
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