热释电探测器PZT晶片制备工艺研究

热释电探测器PZT晶片制备工艺研究

黄江平, 王羽, 袁俊, 王学森, 郭雨航, 余瑞云

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黄江平, 王羽, 袁俊, 王学森, 郭雨航, 余瑞云. 热释电探测器PZT晶片制备工艺研究[J]. 红外技术, 2013, (6): 368-372.

引用本文:

黄江平, 王羽, 袁俊, 王学森, 郭雨航, 余瑞云. 热释电探测器PZT晶片制备工艺研究[J]. 红外技术, 2013, (6): 368-372.

HUANG Jiang-ping, WANG Yu, YUAN Jun, WANG Xue-sun, GUO Yu-hang, YU Rui-yun. Study on Fabrication of Pyroelectric Detector PZT Wafer[J]. Infrared Technology , 2013, (6): 368-372.

Citation:

HUANG Jiang-ping, WANG Yu, YUAN Jun, WANG Xue-sun, GUO Yu-hang, YU Rui-yun. Study on Fabrication of Pyroelectric Detector PZT Wafer[J]. Infrared Technology , 2013, (6): 368-372.

热释电探测器PZT晶片制备工艺研究

昆明物理研究所,云南昆明,650223
中国科学院昆明物理研究所

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中图分类号: TN215
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出版历程

Study on Fabrication of Pyroelectric Detector PZT Wafer

摘要: 介绍了热释电探测器PZT晶片制备工艺及选择锆钛酸铅（PZT）陶瓷材料制作敏感元的理论依据，阐述了晶片磨抛理论，对磨抛质量影响因素进行了细致分析。对比了几种抛光液对晶片表面的抛光效果，并进行了扫描电镜和表面粗糙度分析，得到了抛光后晶片表面的扫描电子显微镜（SEM）照片和晶片表面形态，确定了最佳抛光材料。通过理论和实践的结合，研制出了完全能满足器件工艺要求的热释电探测器晶片。
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- 锆钛酸铅(PZT)材料 /
- PZT晶片 /
- 研磨抛光

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