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p-on-n HgCdTe红外探测器机理分析与性能计算

曾戈虹

曾戈虹. p-on-n HgCdTe红外探测器机理分析与性能计算[J]. 红外技术, 2013, (5): 249-258.
引用本文: 曾戈虹. p-on-n HgCdTe红外探测器机理分析与性能计算[J]. 红外技术, 2013, (5): 249-258.
shu
Fundamentals of p-on-n HgCdTe Infrared Detectors and Their Detectivity Calculations[J]. Infrared Technology , 2013, (5): 249-258.
Citation: Fundamentals of p-on-n HgCdTe Infrared Detectors and Their Detectivity Calculations[J]. Infrared Technology , 2013, (5): 249-258.
shu

p-on-n HgCdTe红外探测器机理分析与性能计算

  • 昆明物理研究所,云南 昆明 650223

  • 中国科学院昆明物理研究所

详细信息

  • 中图分类号: TN215

Fundamentals of p-on-n HgCdTe Infrared Detectors and Their Detectivity Calculations

摘要

    摘要
  • 摘要: 根据HgCdTe材料特性和p-on-n HgCdTe红外探测器结构,建立了p-on-n HgCdTe红外探测器三维数理模型.通过对三维理论模型的求解,得到探测器内部载流子的输运特性,实现了对不同波段、不同工作温度p-on-n HgCdTe红外探测器探测率的理论计算.计算结果表明:p-on-n HgCdTe红外探测器优异的高灵敏度和高温特性,能在红外短波、中波和长波3个波段上全面满足未来红外系统对高性能红外探测器的需求.
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