77K低温下MOSFET非固有电容参数提取研究

胡彦博, 李煜, 白丕绩, 李敏, 刘会平, 李所英

胡彦博, 李煜, 白丕绩, 李敏, 刘会平, 李所英. 77K低温下MOSFET非固有电容参数提取研究[J]. 红外技术, 2013, (1): 9-15.
引用本文: 胡彦博, 李煜, 白丕绩, 李敏, 刘会平, 李所英. 77K低温下MOSFET非固有电容参数提取研究[J]. 红外技术, 2013, (1): 9-15.
Parameter Extraction of Extrinsic Capacitance of MOSFET at 77 K Cryogenic Temperature[J]. Infrared Technology , 2013, (1): 9-15.
Citation: Parameter Extraction of Extrinsic Capacitance of MOSFET at 77 K Cryogenic Temperature[J]. Infrared Technology , 2013, (1): 9-15.

77K低温下MOSFET非固有电容参数提取研究

详细信息
  • 中图分类号: TN215

Parameter Extraction of Extrinsic Capacitance of MOSFET at 77 K Cryogenic Temperature

  • 摘要: 77 K 低温参数是制冷型碲镉汞红外焦平面探测器读出电路设计与精确仿真的关键点之一.通过研究 MOSFET 非固有电容的特性,并基于 BSIM3通用模型对电容的描述,在77 K 低温下进行测试提取,得到了相关的模型参数.嵌入 SPICE 软件仿真对比,证明了参数的准确性.
  • 期刊类型引用(1)

    1. 李亚情,左加宁,李晓露,周盛涛,褚祝军,杜培德,王光凡. 自动门控像增强器温度补偿技术研究. 红外技术. 2023(10): 1126-1131 . 本站查看

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