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77K低温下MOSFET非固有电容参数提取研究

Parameter Extraction of Extrinsic Capacitance of MOSFET at 77 K Cryogenic Temperature

    摘要
  • 摘要: 77 K 低温参数是制冷型碲镉汞红外焦平面探测器读出电路设计与精确仿真的关键点之一.通过研究 MOSFET 非固有电容的特性,并基于 BSIM3通用模型对电容的描述,在77 K 低温下进行测试提取,得到了相关的模型参数.嵌入 SPICE 软件仿真对比,证明了参数的准确性.

     

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