短波320×256抗辐射加固读出电路设计

梁艳, 李煜, 王博, 白丕绩, 李敏, 陈虓

梁艳, 李煜, 王博, 白丕绩, 李敏, 陈虓. 短波320×256抗辐射加固读出电路设计[J]. 红外技术, 2012, (12): 705-708.
引用本文: 梁艳, 李煜, 王博, 白丕绩, 李敏, 陈虓. 短波320×256抗辐射加固读出电路设计[J]. 红外技术, 2012, (12): 705-708.

短波320×256抗辐射加固读出电路设计

详细信息
  • 中图分类号: TN215

  • 摘要: 设计了一款采用 CMOS 工艺的短波320×256抗辐射加固读出电路,分析了 CMOS 工艺抗辐射的特点,重点介绍了模拟通路、偏压产生电路和数字电路的加固设计方法,采用了双环保护结构、对 NMOS 管使用环形栅和冗余设计等措施.该设计电路经过流片,测试结果表明该抗辐射加固设计方法有效可行.
  • 期刊类型引用(2)

    1. 贾应彪. 高光谱压缩成像实现与数据处理研究. 电脑知识与技术. 2022(20): 103-104 . 百度学术
    2. 黄正鹏,王力,张仕学,余廷忠,张起荣. 基于传统遗传和数据压缩算法的冗余光纤数据存储优化. 激光杂志. 2019(03): 135-139 . 百度学术

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