短波320×256抗辐射加固读出电路设计

短波320×256抗辐射加固读出电路设计

梁艳, 李煜, 王博, 白丕绩, 李敏, 陈虓

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梁艳, 李煜, 王博, 白丕绩, 李敏, 陈虓. 短波320×256抗辐射加固读出电路设计[J]. 红外技术, 2012, (12): 705-708.

引用本文:

梁艳, 李煜, 王博, 白丕绩, 李敏, 陈虓. 短波320×256抗辐射加固读出电路设计[J]. 红外技术, 2012, (12): 705-708.

短波320×256抗辐射加固读出电路设计

昆明物理研究所,云南昆明 650223
中国科学院昆明物理研究所

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中图分类号: TN215
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出版历程

摘要: 设计了一款采用 CMOS 工艺的短波320×256抗辐射加固读出电路,分析了 CMOS 工艺抗辐射的特点,重点介绍了模拟通路、偏压产生电路和数字电路的加固设计方法,采用了双环保护结构、对 NMOS 管使用环形栅和冗余设计等措施.该设计电路经过流片,测试结果表明该抗辐射加固设计方法有效可行.
- CMOS /
- 读出电路 /
- 抗辐射加固

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