InAs/GaSbⅡ类超晶格与 HgCdTe 红外探测器的比较研究

余连杰, 邓功荣, 苏玉辉

余连杰, 邓功荣, 苏玉辉. InAs/GaSbⅡ类超晶格与 HgCdTe 红外探测器的比较研究[J]. 红外技术, 2012, (12): 683-689.
引用本文: 余连杰, 邓功荣, 苏玉辉. InAs/GaSbⅡ类超晶格与 HgCdTe 红外探测器的比较研究[J]. 红外技术, 2012, (12): 683-689.

InAs/GaSbⅡ类超晶格与 HgCdTe 红外探测器的比较研究

详细信息
  • 中图分类号: TN215

  • 摘要: HgCdTe、QWIP 和 InAs/GaSbⅡ类超晶格被公认是第三代红外焦平面探测器的首选.主要对比分析了 HgCdTe 和 InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器,InAs/GaSbⅡ类超晶格具有响应波段宽且精确可控、工作温度高、载流子寿命长、暗电流低和均匀性好等优点,使其在甚长波、多色以及非制冷红外焦平面阵列等方面具有广阔的发展应用前景.
  • 期刊类型引用(2)

    1. 贾应彪. 高光谱压缩成像实现与数据处理研究. 电脑知识与技术. 2022(20): 103-104 . 百度学术
    2. 黄正鹏,王力,张仕学,余廷忠,张起荣. 基于传统遗传和数据压缩算法的冗余光纤数据存储优化. 激光杂志. 2019(03): 135-139 . 百度学术

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