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InAs/GaSbⅡ类超晶格与 HgCdTe 红外探测器的比较研究

余连杰, 邓功荣, 苏玉辉

余连杰, 邓功荣, 苏玉辉. InAs/GaSbⅡ类超晶格与 HgCdTe 红外探测器的比较研究[J]. 红外技术, 2012, (12): 683-689.
引用本文: 余连杰, 邓功荣, 苏玉辉. InAs/GaSbⅡ类超晶格与 HgCdTe 红外探测器的比较研究[J]. 红外技术, 2012, (12): 683-689.
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InAs/GaSbⅡ类超晶格与 HgCdTe 红外探测器的比较研究

  • 昆明物理研究所,云南 昆明 650223

  • 微光夜视技术重点实验室,陕西 西安 710065

  • 中国科学院昆明物理研究所

详细信息

  • 中图分类号: TN215

摘要

    摘要
  • 摘要: HgCdTe、QWIP 和 InAs/GaSbⅡ类超晶格被公认是第三代红外焦平面探测器的首选.主要对比分析了 HgCdTe 和 InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器,InAs/GaSbⅡ类超晶格具有响应波段宽且精确可控、工作温度高、载流子寿命长、暗电流低和均匀性好等优点,使其在甚长波、多色以及非制冷红外焦平面阵列等方面具有广阔的发展应用前景.
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