Status and Development of High Spatial Resolution Microchannel Plate
-
摘要: 微通道板(MCP)是超二代、三代微光像增强器中的核心元件之一,其空间分辨能力对于微光像增强器分辨力、传函、光晕(Halo)等性能有重要的影响。基于最先进的超二代和三代像增强器所采用MCP的新技术发展,整理国内外已经开展的研究成果报道,从像增强器成像过程中与MCP直接相关的光电子入射至MCP输入面、MCP电子倍增、倍增电子图像输出3个阶段进行系统梳理分析,明确先进像增强器对于微通道板高空间分辨的具体性能需求。提出国产MCP的发展方向展望:未来几年研制孔径5 μm、开口面积比70%左右、输出电极优化的MCP并批量应用;应用于超二代像增强器的MCP需要开展小孔径扩口以及电子减速膜等新技术研究,使MCP开口面积比达到90%以上、像增强器传函与对比度性能显著提升;应用于三代像增强器的MCP需要开展低放气、低离子反馈MCP研究以支撑无膜三代像增强器的研发,抑制Halo、提高信噪比,在实现无膜MCP的基础上,扩口技术、输入增强膜层技术、电子减速膜等MCP技术均有应用于三代像增强器中的潜力。Abstract: Microchannel plates (MCP) are the core components of super GEN Ⅱ and GEN Ⅲ low-light-level image intensifiers. The spatial resolution has a significant effect on the resolution, transmission, and halo performance of low-light-level image intensifiers. The research results at home and abroad are reviewed based on the new technology development of the MCP used by the most advanced super GEN Ⅱ and GEN Ⅲ intensifiers. The specific performance requirements of advanced image intensifiers for the high spatial resolution of microchannel plates are verified by a systematic analysis of the three stages of photon input to the MCP surface, MCP electron multiplication, and multiplication electron image output in the imaging process of the image intensifier. The development trends of domestic MCP is put forward: the MCP with an aperture of 5 μm, an opening area ratio of approximately 70% and optimized output electrode will be developed and applied in batch in the next few years. The MCP applied to the super GEN Ⅱ image intensifier needs to conduct research on new technologies such as a small aperture funnel MCP technology and electron deceleration film, so that the MCP opening area ratio can reach more than 90% and the modulation transfer function and contrast performance of the image intensifier can be significantly improved. MCP with a low outgassing and low ion feedback are needed in the research to support the unfilmed GEN Ⅲ, which can inhibit Halo and improve the signal-to-noise ratio. Based on the unfilmed intensifier, the funnel MCP technology, input enhancement film technology, and electron deceleration film technology have the potential to be used in GEN Ⅲ intensifier.
-
0. 引言
区别于传统的波纹管自调形式,记忆合金型自调式制冷器采用了另外一条自调技术路线,即利用记忆材料随温度变化产生的形状记忆效应来实现制冷器流量的调节,具有结构简单、装调方便、寿命长等优点[1]。记忆合金制冷器自调后,流量会趋于稳定,但在一些因素如振动、温度变化、制冷器记忆合金的不稳定等的影响下,稳定流量可能会发生较大变化,造成制冷器不到温或工作时间缩短。关于记忆合金自调式制冷器流量稳定性的研究,学者多从提升记忆合金弹簧的疲劳稳定性和设计预紧力来维持制冷器流量的稳定[2-5],很少有学者研究节流孔大小对制冷器流量稳定性的影响。
由于焦耳汤姆逊效应存在,高压气体流经节流孔,压力明显降低,相应地温度大幅下降直至相变为液体,液态制冷工质蒸发后吸热来实现被冷却对象的制冷。
节流孔直径的设计对制冷器性能有着重要的影响:直径偏小,制冷流量也偏小,制冷量不足;直径偏大,制冷工质液化率低,制冷效率不高,且探测器工作时长会受到影响。为满足制冷量和探测器工作时长的要求,节流孔直径将被限制在一个范围内。对于对流量稳定性要求较高的自调式制冷器,考虑节流孔直径对流量稳定性的影响,可以进一步寻找到一个更佳的节流孔直径。本文对一款典型的记忆合金自调式制冷器,自调机构见图 1,对其节流孔孔径在0.10~0.25 mm之间变化时的流量稳定性进行了理论和实验研究,探讨了节流孔孔径对制冷器流量稳定性的影响[6]。
1. 理论计算
图 1是一款典型的记忆合金自调式制冷器结构,主要包括主动弹簧、形状记忆合金调节器、补偿块、平衡弹簧和阀针。制冷器通气后,高压气体先大流量流经节流孔,经节流后温度骤降,形状记忆合金弹簧被冷却收缩,主动弹簧和平衡弹簧相应地伸长,带动阀针运动关小节流孔实现流量的自动调节。
现从理论层面分析,改变节流孔孔径大小是否有助于提高自调制冷器流量稳定性。图 2为节流孔和阀针结构示意图,气流由1断面流向2断面。
为简化计算,现作两点假设:
1)气流由1断面流到2断面的沿程阻力损失忽略不计;
2)气流相变发生在2断面之后,1-2断面制冷工质保持气体状态。
现通过能量守恒来计算制冷工质流量。由于阀针阻碍导致的局部阻力损失系数为[7]:
$$\zeta {\rm{ = }}0.5\left( {1 - \frac{{{A_2}}}{{{A_1}}}} \right)$$ (1) 式中:A1、A2分别为1、2断面的过流面积。
由能量守恒知:
$${P_1} = 0.5(1 - \frac{{{A_2}}}{{{A_1}}})\frac{{\rho v_2^2}}{2} + {P_{{\rm{s2}}}} + {P_{{\rm{d2}}}}$$ (2) 式中:P1为断面1的全压;等式右侧第一项为断面1~2之间的局部压力损失,ρ为气流的密度;v2为断面2处的流速;Ps2为断面2的静压,与外界大气相通,接近于大气压,取值为0;Pd2为断面2处的动压,其表达式为:
$${P_{{\rm{d}}2}} = \frac{{\rho v_2^2}}{2}$$ (3) 流过断面2的流量为:
$$ Q = {A_2}{v_2} $$ (4) 式(2)、(3)、(4)联立:
$${P_1} = 0.5(1 - \frac{{{A_2}}}{{{A_1}}})\frac{{\rho {Q^2}}}{{2A_2^2}} + \frac{{\rho {Q^2}}}{{2A_2^2}}$$ (5) $$Q = \sqrt {\frac{{A_2^2{P_1}}}{{\frac{\rho }{2} + \frac{\rho }{4}(1 - \frac{{{A_2}}}{{{A_1}}})}}} $$ (6) 断面2面积A2可用节流孔孔径R1、阀针进入节流孔的深度l、阀针的角度α表示:
$$Q = \sqrt {\frac{{{{\left[ {{\rm{ \mathsf{ π} }}R_1^2 - {\rm{ \mathsf{ π} }}{{(l*\tan \frac{\alpha }{2})}^2}} \right]}^2}{P_1}}}{{\frac{\rho }{2} + \frac{{\rho {{(l*\tan \frac{\alpha }{2})}^2}}}{{4R_1^2}})}}} $$ (7) 由流量公式可知,影响流量的主要因素是节流孔孔径、阀针进入节流孔的距离、阀针的角度、进气压力、气流密度。
本研究通过计算制冷器流量变化量来评估不同节流孔孔径制冷器的流量稳定性。对于一种特定的自调式制冷器,其调试流量一般都会设定在某一区间,计算中控制不同直径的制冷器调试流量均相同,为14.61 g/min;设扰动因素会导致阀针进入节流孔中的距离减少0.01 mm;制冷工质为氮气,节流前密度为506.25 kg/m3;1断面处的压力为27 MPa,阀针角度为30°,计算结果如表 1和图 3所示。
表 1 节流孔孔径对流量稳定性影响算例Table 1. Example of the influence of orifice diameter on flow stabilityOrifice diameter/mm Setup flow rate/(g/min) Distance of needle into orifice at setup flow rate/mm Distance of needle into orifice after disturbance/mm Flow rate after disturbance/(g/min) Flow rate variation/(g/min) 0.10 14.61 0.1634 0.1534 21.07 6.46 0.11 14.61 0.1840 0.1740 21.80 7.19 0.12 14.61 0.2042 0.1942 22.52 7.91 0.13 14.61 0.2242 0.2142 23.23 8.62 0.14 14.61 0.2439 0.2339 23.94 9.33 0.15 14.61 0.2635 0.2535 24.65 10.04 0.16 14.61 0.2829 0.2729 25.35 10.74 0.17 14.61 0.3022 0.2922 26.05 11.44 0.18 14.61 0.3214 0.3114 26.74 12.13 0.19 14.61 0.3406 0.3306 27.44 12.83 0.20 14.61 0.3597 0.3497 28.14 13.53 0.21 14.61 0.3787 0.3687 28.83 14.22 0.22 14.61 0.3977 0.3877 29.52 14.91 0.23 14.61 0.4166 0.4066 30.22 15.61 0.24 14.61 0.4356 0.4256 30.91 16.30 0.25 14.61 0.4544 0.4444 31.60 16.99 表 1数据显示,在14.61 g/min的调试流量下,扰动因素导致阀针进入节流孔的距离减少0.01 mm时,节流孔孔径为0.25 mm的制冷器流量增加了16.99 g/min,而节流孔孔径为0.10 mm的制冷器流量增加了6.46 g/min,小于0.25 mm孔径制冷器10.53 g/min;图 3显示制冷器流量变化量随节流孔孔径增大呈线性增大趋势;说明节流孔孔径越小,制冷器流量越不容易发生变化,流量稳定性越好。
制冷器调试流量既要满足制冷量要求,又不能超差,要处于一个合理的范围内。现分析调试流量大小对流量稳定性的影响。节流孔孔径设定为0.15 mm;调试流量在14.61~23.65 g/min之间变化;干扰因素相同,均使得阀针在节流孔中的距离减少0.01 mm;计算结果见表 2和图 4。
表 2 调试流量对流量稳定性影响算例Table 2. Example of the influence of adjusting flow rate on flow stabilityOrifice diameter/mm Setup flow rate/(g/min) Distance of needle into orifice at setup flow rate/mm Distance of needle into orifice after disturbance/mm Flow rate after disturbance/(g/min) Flow rate variation/(g/min) 0.15 14.61 0.2635 0.2535 24.65 10.04 0.15 15.62 0.2625 0.2525 25.64 10.02 0.15 16.63 0.2615 0.2515 26.63 10.00 0.15 17.64 0.2605 0.2505 27.63 9.99 0.15 18.64 0.2595 0.2495 28.62 9.97 0.15 19.65 0.2585 0.2485 29.60 9.96 0.15 20.65 0.2575 0.2475 30.59 9.94 0.15 21.65 0.2565 0.2465 31.58 9.93 0.15 22.65 0.2555 0.2455 32.56 9.91 0.15 23.65 0.2545 0.2445 33.54 9.89 表 2数据显示,在14.61 g/min的调试流量下,受扰动因素影响,制冷器流量变化量为10.04 g/min,当调试流量增大至23.65 g/min时,制冷器流量变化量为9.89 g/min,流量变化量减少了0.15 g/min;图 4中显示流量变化量随调试流量的增大呈线性减少趋势。整体来看,调试流量增加,制冷器的流量变化量会减小,但减小幅度不大,而调试流量调的过大,很容易造成制冷器流量超差,增大调试流量对提高制冷器的流量稳定性的作用较为有限。
理论分析表明:减小节流孔直径有助于提高制冷器的流量稳定性,改变调试流量对制冷器流量稳定性的影响较小。
2. 实验研究
制冷器在受到自身或外界因素变化的影响下,流量会发生变化。为引入扰动因素,实验中对制冷器进行了疲劳测试和振动测试。记忆合金弹簧由于其自身材料的特点存在疲劳稳定性的问题,其低温下收缩量不稳定会影响阀针进入节流孔的距离,导致制冷器流量的变化,疲劳测试可以反映记忆合金弹簧不稳定对制冷器流量稳定性的影响;振动测试是为了模拟制冷器机动过程中受到的加速度冲击,制冷器受加速度冲击后,自调机构之间的相对位置会发生一定的变化,从而导致制冷器流量发生变化。
疲劳测试台如图 5所示,疲劳测试设备一端与气源连接,另一端连有10个接口,可同时供10只制冷器测试。用户在控制台的可视化界面中输入工作时间、停机时间及运行次数,程序根据输入参数控制气源的输送和切断。测试在恒温、恒湿的洁净间中进行,温度为22℃、湿度为46%、净化等级为10万级。测试中,通过调节减压阀,将供气压力调节至29 MPa,工作时间设为5 min,停机时间设为15 min,运行次数设为100次。在工作时间内,程序打开气源开关,向制冷器输送高压气体,气体节流制冷,记忆合金弹簧被冷却后收缩;在停机时间内,程序关闭气源开关,停止向制冷器输送高压气体,制冷器无冷量输出,记忆合金弹簧逐渐恢复至原长,在100次的运行次数下,记忆合金弹簧经历100次的疲劳变形。
振动测试台如图 6所示,功能振动功率谱密度如图 7所示。试验中,制冷器固定于制冷器装卡夹具中,振动过程中制冷器全程通气,气源压力29 MPa。振动频率为20~2000 Hz,最大功率谱密度为0.04 g2/Hz,总加速度均方根值为7.68 g,振动方向为振动台轴向,振动时间为10 min。
记忆合金自调式制冷器节流孔直径通常在0.10~0.25 mm之间。为使对比明显,应选择直径跨度较大的节流孔。考虑到0.10 mm附近的节流孔加工难度大,精度较难保证,因此选择直径为0.15 mm和0.25 mm两种节流孔用实验研究。实验中,0.15 mm和0.25 mm两种节流孔规格的制冷器各制作9只,由于将制冷器的流量调至完全相同是非常困难的,实验中将制冷器在29 MPa进行调试,调试流量保持在15~18 g/min的小区间变化。对制冷器调试后、疲劳测试后、振动后的流量进行测试,测试压力为29 MPa和22 MPa,共有6种不同的工况。所用流量计为质量流量计,如图 8所示。测得的流量数据如表 3和表 4所示。
表 3 0.15 mm节流孔制冷器流量数据Table 3. Flow rate data of cryocoolers with 0.15 mm orificeCryocooler number Setup flow rate/(g/min) Flow rate after fatigue test/(g/min) Flow rate after vibration test /(g/min) 29 MPa 22 MPa 29 MPa 22 MPa 29 MPa 22 MPa A1 17.35 14.16 15.61 11.4 16.75 15.07 A2 16.47 12.32 16.9 14.3 15.73 14.57 A3 16.5 13.25 16.18 14.6 15.89 13.87 A4 16.15 12.38 14.32 11.83 11.92 8.13 A5 16.45 13.66 17.17 15.7 18.04 15.1 A6 15.16 11.85 16.45 13.95 16.19 13.56 A7 15.84 13.35 15.04 13.11 16.07 12.9 A8 16.67 12.36 18.07 14.75 17.99 14.05 A9 15.44 13.68 15.19 13.01 16.06 15.34 表 4 0.25 mm节流孔制冷器流量数据Table 4. Flow rate data of cryocoolers with 0.25 mm orificeCryocooler number Setup flow rate/(g/min) Flow rate after fatigue test/(g/min) Flow rate after vibration test /(g/min) 29 MPa 22 MPa 29 MPa 22 MPa 29 MPa 22 MPa B1 16.63 12.33 15.1 12.1 17.13 13.56 B2 15.28 12.97 15.9 10.54 15.84 9.89 B3 17.8 14.43 17.91 11.07 18.33 12.32 B4 15.35 11.67 16.4 13.34 16.17 13.57 B5 16.92 15.3 14.31 11.61 21.42 18.87 B6 16.32 14.6 17.2 13.41 21.13 17.23 B7 17.87 15.33 16.66 14.12 16.42 13.89 B8 15.19 13.3 19.4 17.4 12.41 5.77 B9 16.77 14.62 16.77 14.62 18.04 15.46 为比较两种不同规格制冷器的流量稳定性,现将调试后流量作为基准流量,记为Q0,疲劳测试后流量和振动测试后流量记为Q1和Q2,计算制冷器的流量方差σ和方差均值$\bar \sigma $,如式(8)和式(9)所示。计算制冷器在29 MPa和22 MPa下的流量方差,结果如表 5所示。
$$\sigma = \frac{{{{({Q_1} - {Q_0})}^2} + {{({Q_2} - {Q_0})}^2}}}{2}$$ (8) $$\bar \sigma = \frac{{\sum\limits_{i = 1}^9 {{\sigma _i}} }}{9}$$ (9) 表 5 0.15 mm/0.25 mm孔径制冷器流量方差Table 5. Flow rate variance of cryocoolers with 0.15 mm and 0.25 mm orificeCryocooler number Flow rate variance under 29 MPa Flow rate variance under 22 MPa Cryocooler number Flow rate variance under 29 MPa Flow rate variance under 22 MPa A1 1.6938 4.2229 B1 1.29545 0.7829 A2 0.3662 4.4915 B2 0.349 7.69565 A3 0.2373 1.1035 B3 0.1465 7.87085 A4 10.6209 9.1825 B4 0.88745 3.19945 A5 1.5233 3.1176 B5 13.53105 13.1805 A6 1.3625 3.6671 B6 11.95525 4.1665 A7 0.3465 0.1301 B7 1.7833 1.76885 A8 1.8512 4.2841 B8 12.72625 36.75545 A9 0.2235 1.6023 B9 0.80645 0.3528 Avarage 2.6932 3.5335 Avarage 4.8311 8.4192 从方差均值来看:0.15 mm节流孔的制冷器在29 MPa和22 MPa下的流量方差分别为2.6932和3.5335,而0.25 mm节流孔的制冷器在两种压力下的方差均值分别为4.8311和8.4192,明显大于节流孔直径为0.15 mm的情况。实验结果表明:0.15 mm节流孔孔径的制冷器在29 MPa和22 MPa下的流量方差波动均较小,不容易发生较大的流量变化。
3. 结论
流量稳定性是评价自调型制冷器性能的一个重要指标。制冷器流量增大会导致工作时长缩短,流量减小会导致制冷量不足。本文从理论分析和实验研究两种方法出发,探究了节流孔孔径对记忆合金自调式制冷器的流量稳定性的影响。研究表明:在满足其他使用要求的情况下,节流孔孔径设计地越小,制冷器的流量稳定性越好。本文研究内容有助于记忆合金型自调式制冷器设计优化。
-
-
[1] 潘京生. 微通道板及其主要特征性能[J]. 应用光学, 2004, 25(5): 25-29. https://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-YYGX200405008.htm PAN Jingsheng. Microchannel plates and its main characteristics[J]. Journal of Applied Optics, 2004, 25(5): 25-29. https://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-YYGX200405008.htm
[2] 潘京生. 像增强器的迭代性能及其评价标准[J]. 红外技术, 2020, 42(6): 509-518. http://hwjs.nvir.cn/article/id/hwjs202006001 PAN Jingsheng. Image intensifier upgraded performance and evaluation standard[J]. Infrared Technology, 2020, 42(6): 509-518. http://hwjs.nvir.cn/article/id/hwjs202006001
[3] 程宏昌, 石峰, 李周奎, 等. 微光夜视器件划代方法初探[J]. 应用光学, 2021, 42(6): 1092-1011. https://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-YYGX202106023.htm CHENG Hongchang, SHI Feng, LI Zhoukui, et al. Preliminary study on distinguishment method of low-level-light night vision devices[J]. Journal of Applied Optics, 2021, 42(6): 1092-1101. https://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-YYGX202106023.htm
[4] 李晓峰, 赵恒, 张彦云, 等. 高性能超二代像增强器及发展[J]. 红外技术, 2021, 43(9): 811-816. http://hwjs.nvir.cn/article/id/5a0a0141-171d-410c-bb3f-ac14dc76e189 LI Xiaofeng, ZHAO Heng, ZHANG Yanyun, et al. High performance super second generation image intensifier and its further development[J]. Infrared Technology, 2021, 43(9): 811-816. http://hwjs.nvir.cn/article/id/5a0a0141-171d-410c-bb3f-ac14dc76e189
[5] Bosch L A. Image intensifier tube performance is what matters[C]//Image Intensifiers and Applications Ⅱ of SPIE, 2000, 4128: 65-78.
[6] Haque M J, Muntjir M. Night vision technology: an overview[J]. International Journal of Computer Applications, 2017, 167(13): 37-42. DOI: 10.5120/ijca2017914562
[7] Estrera J P, Ostromek T E, Bacarella A V, et al. Advanced image intensifier night vision system technologies: status and summary 2002[C]//Low-Light-Level and Real-Time Imaging Systems, Components, and Applications of SPIE, 2003, 4796: 49-59.
[8] Photonis Corp. 4G+ Image Intensifier Tube [EB/OL]. https://www.photonis.com/system/files/2021-05/210507%20Leaflet%2042B_0.pdf 2022-6-15.
[9] L3Harris Technologies, Inc. AN/PVS-31C–BNVD [EB/OL]. https://ww.l3harris.com/sites/default/files/2020-09/cs-ivs-an-pvs-31c-bnvdatasheet_0.pdf. 2022-6-15.
[10] 郭雅宁. 微通道板输入面光子反射特性研究[D]. 长春: 长春理工大学, 2018. GUO Yaning. Study on Photon Reflection Characteristic of Input Surface of Microchannel Plate[D]. Changchun: Changchun University of Science and Technology, 2018.
[11] 刘术林, 匡蕾, 孙建宁, 等. 降低微通道板输入面电极反射率的技术途径[J]. 应用光学, 2011, 32(2): 296-299. https://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-YYGX201102025.htm LIU Shulin, KUANG Lei, SUN Jianning, et al. Technical solution on reducing reflectance of MCP inputsurface electrode[J]. Journal of Applied Optics, 2011, 32(2): 296-299. https://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-YYGX201102025.htm
[12] Hamamatsu Photonics K. K. MCP assembly[EB/OL]. http://www.hamamatsu.com.cn/UserFiles/upload/file/20212021/MCP.pdf 2022-6-15.
[13] 邱祥彪, 闵信杰, 金戈, 等. 采用干法刻蚀进行微通道板扩口理论模型研究[J]. 红外技术, 2022, 44(8): 818-823. http://hwjs.nvir.cn/article/id/3a4581d2-bc9b-427e-9aaf-ae217c7218c6 QIU Xiangbiao, MIN Xinjie, JIN Ge, et al. Theoretical model of funnel microchannel plate fabricated through dry etching[J]. Infrared Technology, 2022, 44(8): 818-823. http://hwjs.nvir.cn/article/id/3a4581d2-bc9b-427e-9aaf-ae217c7218c6
[14] 程耀进, 石峰, 郭晖, 等. MCP参数对微光像增强器分辨力影响研究[J]. 应用光学, 2010, 31(2): 292-296. DOI: 10.3969/j.issn.1002-2082.2010.02.028 CHENG Yaojin, SHI Feng, GUO Hui, et al. Effect of MCP parameters on resolution of image intensifier[J]. Journal of Applied Optics, 2010, 31(2): 292-296. DOI: 10.3969/j.issn.1002-2082.2010.02.028
[15] 顾燕. 电子散射对微光像增强器分辨力的影响研究[D]. 南京: 南京理工大学, 2009. GU Yan. Effect of Electron Scattering on Resolution of LLL Image Intensifier[D]. Nanjing: Nanjing University of Technology, 2009.
[16] Photonis Corp. Technical note: Halo[EB/OL]. https://www.photonis.com/system/files/2019-03/Halo.pdf 2022-6-15.
[17] Estrera J P, Ostromek T E, Bacarella A V, et al. Advanced image intensifier night vision system technologies: status and summary 2002[C]//SPIE, 2003, 4796: 49-60.
[18] 李晓峰, 李廷涛, 曾进能, 等. 微通道板输入信号利用率提高研究[J]. 光子学报, 2020, 49(3): 0325002. https://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-GZXB202003022.htm LI Xiaofeng, LI Tingtao, ZENG Jinneng, et al. Study on the improvement of input signal utilization of MCP[J]. Acta Photonica Sinica, 2020, 49(3): 0325002. https://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-GZXB202003022.htm
[19] 曾进能, 李廷涛, 常乐, 等. MCP输入增强膜对像增强器主要性能的影响研究[J]. 红外技术, 2020, 42(8): 735-741. http://hwjs.nvir.cn/article/id/hwjs202008005 ZENG Jinneng, LI Tingtao, CHANG Le, et al. Effect of MCP input enhancement film on image intensifier performance[J]. Infrared Technology, 2020, 42(8): 735-741. http://hwjs.nvir.cn/article/id/hwjs202008005
[20] Csorba I I P. Modulation transfer function (MTF) of image intensifier tubes[C]//Assessment of Imaging Systems Ⅱ of SPIE, 1981, 274: 42-51.
[21] Glesener J, Estrera J. Two micron pore size MCP-based image intensifiers[C]//Optical Components and Materials Ⅶ of SPIE, 2010, 7598: 310-315.
[22] WANG Y, YANG G W, CHANG B K. Effect of changing the MCP's bias angle on resolution of image intensifier[C]//2010 8th International Vacuum Electron Sources Conference and Nanocarbon of IEEE, 2010: 244-246.
[23] Hoenderken T H, Hagen C W, Barth J E, et al. Influence of the microchannel plate and anode gap parameters on the spatial resolution of an image intensifier[J]. Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena, 2001, 19(3): 843-850.
[24] 李晓峰, 常乐, 曾进能, 等. 微通道板分辨力提高研究[J]. 光子学报, 2019, 48(12): 1223002. https://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-GZXB201912016.htm LI Xiaofeng, CHANG Le, ZENG Jinneng, et al. Study on resolution improvement of microchannel plate[J]. Acta Photonica Sinica, 2019, 48(12): 1223002. https://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-GZXB201912016.htm
[25] Koshida N, Kiuchi Y. Influence of output electron energy distribution of microchannel plates on the resolution of image intensifiers[J]. Advances in Electronics and Electron Physics., 1988, 74: 79-85.
[26] WANG L, BANE K, CHEN C, et al. Suppression of secondary electron emission using triangular grooved surface in the ILC dipole and wiggler magnets[C]//2007 IEEE Particle Accelerator Conference (PAC) of IEEE, 2007: 4234-4236.
[27] 胡天存, 曹猛, 鲍艳, 等. 基于ZnO阵列的银表面二次电子发射抑制技术[J]. 中国空间科学技术, 2017, 37(2): 54-60. https://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-ZGKJ201702008.htm HU Tiancun, CAO Meng, BAO Yan, et al. Technique for inhibiting secondary electron emission of silver based on ZnO array[J]. Chinese Space Science and Technology, 2017, 37(2): 54-60. https://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-ZGKJ201702008.htm
[28] 王丹, 贺永宁, 叶鸣, 等. 金纳米结构表面二次电子发射特性[J]. 物理学报, 2018, 67(8): 087902. https://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-WLXB201808023.htm WANG Dan, HE Yongning, YE Ming, et al. Secondary electron emission characteristics of gold nanostructures[J]. Acta Phys. Sin., 2018, 67(8): 087902. https://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-WLXB201808023.htm
[29] 贺永宁, 王丹, 叶鸣, 等. 铝合金镀银表面粗糙化处理方法及其SEY抑制机理[J]. 表面技术, 2018, 47(5): 1-8. https://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-BMJS201805003.htm HE Yongning, WANG Dan, YE Ming, et al. Roughening method and SEY inhibition mechanism of aluminium alloy silver plated surface[J]. Surface Technology, 2018, 47(5): 1-8. https://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-BMJS201805003.htm
[30] Gert Otto Nützel. Image intensifier for night vision device: US 10, 886, 095 B2 [P]. United States, 2021-1-5.
-
期刊类型引用(1)
1. 张巍,苏鹏翼,高涛,贾宝军. 弹簧参数对记忆合金式J-T制冷器流量的影响. 低温与超导. 2022(08): 93-99 . 百度学术
其他类型引用(0)