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低维异质结构光存储单元的等效电路建模及模型

李峻蔚, 詹国钟, 郭方敏

李峻蔚, 詹国钟, 郭方敏. 低维异质结构光存储单元的等效电路建模及模型[J]. 红外技术, 2009, 31(7): 386-389. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.07.004
引用本文: 李峻蔚, 詹国钟, 郭方敏. 低维异质结构光存储单元的等效电路建模及模型[J]. 红外技术, 2009, 31(7): 386-389. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.07.004
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LI Jun-wei, ZHAN Guo-zhong, GUO Fang-min. An Equivalent Circuit Model and Its Readout IC Design of a Quantum Dot-Quantum Well Hybrid Structure Optical Memory Cell[J]. Infrared Technology , 2009, 31(7): 386-389. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.07.004
Citation: LI Jun-wei, ZHAN Guo-zhong, GUO Fang-min. An Equivalent Circuit Model and Its Readout IC Design of a Quantum Dot-Quantum Well Hybrid Structure Optical Memory Cell[J]. Infrared Technology , 2009, 31(7): 386-389. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.07.004
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低维异质结构光存储单元的等效电路建模及模型

  • 华东师范大学信息学院,极化材料与器件教育部重点实验室,上海,200241

  • 华东师范大学

基金项目: 科技部重大项目(2006CB932802)%上海市科委配套项目(078014194)
详细信息

  • 中图分类号: TN215

An Equivalent Circuit Model and Its Readout IC Design of a Quantum Dot-Quantum Well Hybrid Structure Optical Memory Cell

摘要

    摘要
  • 摘要: 通过新型量子点-量子阱混合异质结构的光存储单元的实际测试结果进行了等效电路建模,运用模型描述响应电流与偏置电压以及器件电容与偏置电压之间的关系.将该新型光子存储器件的实验数据与建模仿真结果进行了对比,发现两者能较好地吻合,从而验证了等效电路模型的正确性.该模型用于实现对该光存储器件器响应信号的匹配读出,对该类型光电器件读出电路的研究具有指导作用.
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