低维异质结构光存储单元的等效电路建模及模型
An Equivalent Circuit Model and Its Readout IC Design of a Quantum Dot-Quantum Well Hybrid Structure Optical Memory Cell
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摘要: 通过新型量子点-量子阱混合异质结构的光存储单元的实际测试结果进行了等效电路建模,运用模型描述响应电流与偏置电压以及器件电容与偏置电压之间的关系.将该新型光子存储器件的实验数据与建模仿真结果进行了对比,发现两者能较好地吻合,从而验证了等效电路模型的正确性.该模型用于实现对该光存储器件器响应信号的匹配读出,对该类型光电器件读出电路的研究具有指导作用.
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