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垂直p-n结的碲镉汞光伏探测器暗电流特性分析

史衍丽

史衍丽. 垂直p-n结的碲镉汞光伏探测器暗电流特性分析[J]. 红外技术, 2006, 28(8): 474-477. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2006.08.010
引用本文: 史衍丽. 垂直p-n结的碲镉汞光伏探测器暗电流特性分析[J]. 红外技术, 2006, 28(8): 474-477. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2006.08.010
shu
Dark Current Characteristics Analyses of HgCdTe Photovoltaic Detectors with Vertical p-n Junction[J]. Infrared Technology , 2006, 28(8): 474-477. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2006.08.010
Citation: Dark Current Characteristics Analyses of HgCdTe Photovoltaic Detectors with Vertical p-n Junction[J]. Infrared Technology , 2006, 28(8): 474-477. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2006.08.010
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垂直p-n结的碲镉汞光伏探测器暗电流特性分析

  • 昆明物理研究所,云南,昆明,650223

  • 中国科学院昆明物理研究所

基金项目: 云南省培引人才项目(2004PY01-30)
详细信息

  • 中图分类号: TN215

Dark Current Characteristics Analyses of HgCdTe Photovoltaic Detectors with Vertical p-n Junction

施引文献

    摘要
  • 摘要: 如何提高碲镉汞焦平面探测器的制备工艺,降低暗电流直接关系到探测器的噪声和灵敏度.本文对所研制的垂直结碲镉汞光伏探测器在工作条件下的暗电流大小和构成机制进行了模拟分析,理论计算结果和实验结果吻合很好.分析结果进一步反馈了工艺中存在的问题,这对改进工艺、提高器件性能有重要的理论指导作用.
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