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成彩晶, 司俊杰, 鲁正雄, 郭云芝, 赵鸿燕, 赵岚, 丁嘉欣, 孙维国, 陈志忠, 张国义. Al0.3Ga0.7N MSM紫外探测器研究[J]. 红外技术, 2006, 28(8): 470-473. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2006.08.009
引用本文: 成彩晶, 司俊杰, 鲁正雄, 郭云芝, 赵鸿燕, 赵岚, 丁嘉欣, 孙维国, 陈志忠, 张国义. Al0.3Ga0.7N MSM紫外探测器研究[J]. 红外技术, 2006, 28(8): 470-473. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2006.08.009
shu
CHENG Cai-jing, SI Jun-jie, LU Zheng-xiong, GUO Yun-zhi, ZHAO Hong-yan, ZHAO lan, DING Jia-xin, SUN Wei-guo, CHEN Zhi-zhong, ZHANG Guo-yi. A Study of Al0.3Ga0.7N Metal-semiconductor-metal UV Photodiodes[J]. Infrared Technology , 2006, 28(8): 470-473. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2006.08.009
Citation: CHENG Cai-jing, SI Jun-jie, LU Zheng-xiong, GUO Yun-zhi, ZHAO Hong-yan, ZHAO lan, DING Jia-xin, SUN Wei-guo, CHEN Zhi-zhong, ZHANG Guo-yi. A Study of Al0.3Ga0.7N Metal-semiconductor-metal UV Photodiodes[J]. Infrared Technology , 2006, 28(8): 470-473. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2006.08.009
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Al0.3Ga0.7N MSM紫外探测器研究

  • 中国空空导弹研究院,河南,洛阳,471009

  • 北京大学物理系,北京,100871

  • 中国空空导弹研究院

  • 北京大学

详细信息

  • 中图分类号: TN36

A Study of Al0.3Ga0.7N Metal-semiconductor-metal UV Photodiodes

施引文献

    摘要
  • 摘要: 用MOCVD生长的未掺杂的n-Al0.3Ga0.7N制备了MSM结构紫外探测器.器件在5.3 V偏压时暗电流为1 nA,在315nm波长处有陡峭的截止边,在1 V偏压下305 nm峰值波长处探测器的电流响应率为0.023 A/W,要进一步提高器件的响应率,方法之一是优化器件的结构参数,尽量减小叉指电极的宽度.为了检验Au/n-Al0.3Ga0.7N肖特基接触特性,电击穿MSM右边结,由正向I-V特性曲线计算出理想因子n～1.05,零偏势垒高度φB0～1.16eV,表明形成的Au/n-Al0.3Ga0.7N肖特基结较为理想.
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