成彩晶, 司俊杰, 鲁正雄, 郭云芝, 赵鸿燕, 赵岚, 丁嘉欣, 孙维国, 陈志忠, 张国义. Al0.3Ga0.7N MSM紫外探测器研究[J]. 红外技术, 2006, 28(8): 470-473. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2006.08.009
引用本文: 成彩晶, 司俊杰, 鲁正雄, 郭云芝, 赵鸿燕, 赵岚, 丁嘉欣, 孙维国, 陈志忠, 张国义. Al0.3Ga0.7N MSM紫外探测器研究[J]. 红外技术, 2006, 28(8): 470-473. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2006.08.009
CHENG Cai-jing, SI Jun-jie, LU Zheng-xiong, GUO Yun-zhi, ZHAO Hong-yan, ZHAO lan, DING Jia-xin, SUN Wei-guo, CHEN Zhi-zhong, ZHANG Guo-yi. A Study of Al0.3Ga0.7N Metal-semiconductor-metal UV Photodiodes[J]. Infrared Technology , 2006, 28(8): 470-473. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2006.08.009
Citation: CHENG Cai-jing, SI Jun-jie, LU Zheng-xiong, GUO Yun-zhi, ZHAO Hong-yan, ZHAO lan, DING Jia-xin, SUN Wei-guo, CHEN Zhi-zhong, ZHANG Guo-yi. A Study of Al0.3Ga0.7N Metal-semiconductor-metal UV Photodiodes[J]. Infrared Technology , 2006, 28(8): 470-473. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2006.08.009

Al0.3Ga0.7N MSM紫外探测器研究

详细信息
  • 中图分类号: TN36

A Study of Al0.3Ga0.7N Metal-semiconductor-metal UV Photodiodes

  • 摘要: 用MOCVD生长的未掺杂的n-Al0.3Ga0.7N制备了MSM结构紫外探测器.器件在5.3 V偏压时暗电流为1 nA,在315nm波长处有陡峭的截止边,在1 V偏压下305 nm峰值波长处探测器的电流响应率为0.023 A/W,要进一步提高器件的响应率,方法之一是优化器件的结构参数,尽量减小叉指电极的宽度.为了检验Au/n-Al0.3Ga0.7N肖特基接触特性,电击穿MSM右边结,由正向I-V特性曲线计算出理想因子n~1.05,零偏势垒高度φB0~1.16eV,表明形成的Au/n-Al0.3Ga0.7N肖特基结较为理想.
计量
  • 文章访问数:  107
  • HTML全文浏览量:  21
  • PDF下载量:  6
  • 被引次数: 0
出版历程

目录

    /

    返回文章
    返回