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相敏探测法噪声测试系统
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GaAs PIN二极管的M-F曲线[3]
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不同厚度Si PIN APDs的M-F曲线[11]
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光功率衰减10-2.3的AlInP雪崩二极管的M-F曲线[12]
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直接功率测量噪声系统[4]
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APD的F与增益的关系[16]
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Ge/Si SACM APD的平面示意图和横截面图[18]
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Ge/Si APD的碰撞电离系数比k[18]
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Al0.7In0.3As0.3Sb0.7 SAGCM APD的横截面示意图和电场分布[19]
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AlInAsSb APD的碰撞电离系数比k[19]
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常用半导体材料的碰撞电离系数比k[21]
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GaAs APD不同倍增层厚度的k值[22]
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两种模型模拟不同倍增层厚度的k值[23]
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制造的InAlAs/InGaAs I2E APD的示意图[27]
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串联I2E InAlAs/InGaAs APD能带图[28]
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模拟串联I2E InAlAs/InGaAs APD的k值[28]
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单级APD和串联APD的模拟增益带宽积[28]