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在(0 0 1)GaAs上生长的InAs或GaSb缓冲层具有InSb或GaAs IF的InAs/GaSb SL的室温拉曼光谱[16]
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在GaSb(0 0 1)上生长的InAs/GaSb超晶格的HRTEM图像: (a)沿着[1 1 0]区轴向的InAs/InSb/GaSb SL的横截面HRTEM图像;(b)SL的(0 0 2)晶格条纹图像[17]
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GaSb(0 0 1)或GaAs(0 0 1)衬底上生长的GaSb缓冲层上的InAs/GaSb SL样品的HRTEM图像
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InAs/GaSb超晶格样品的XSTM图像: (a) InAs/GaSb超晶格样品在(110)横截面的InAs-on-GaSb和GaSb-on-InAs界面的阴离子亚晶格的原子分辨率STM图像[19];(b) Pb(As)= 5.3×10-6 Torr下生长的InAs/GaSb超晶格的XSTM(cross-sectionalscanning tunneling microscopy)图像[20]
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GaSb层上生长的InAs层的SIMS测试: (a) GaSb层上生长的InAs层的SIMS深度剖面[21];(b) 通过SIMS测量在不同衬底温度下生长的两个InAs on GaSb界面的Sb分布[22]
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GaSb/InAs和InAs/GaSb异质结构的代表性的XPS[22]
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GaSb表面的As2暴露的XPS峰强度比[22]
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T=80 K,10MLs-InAs/nInSb ML-InSb/10MLs-GaSb SLs的PL谱[29]
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TPL=10 K,在InAs-on-GaSb界面为GaAs-like界面的超晶格材料的PL谱[30]
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InAs/InSb/GaSb(10/1/10 MLs)超晶格的RT吸收光谱[17]
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