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杨春章, 覃钢, 李艳辉, 李达, 孔金丞. 碲锌镉衬底上中长双色红外碲镉汞分子束外延生长研究[J]. 红外技术, 2018, 40(1): 1-5.
引用本文: 杨春章, 覃钢, 李艳辉, 李达, 孔金丞. 碲锌镉衬底上中长双色红外碲镉汞分子束外延生长研究[J]. 红外技术, 2018, 40(1): 1-5.
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YANG Chunzhang, QIN Gang, LI Yanhui, LI Da, KONG Jincheng. Research on Growth of M/L-wavelength Dual-band IR-MCT on CZT Substrate by MBE[J]. Infrared Technology , 2018, 40(1): 1-5.
Citation: YANG Chunzhang, QIN Gang, LI Yanhui, LI Da, KONG Jincheng. Research on Growth of M/L-wavelength Dual-band IR-MCT on CZT Substrate by MBE[J]. Infrared Technology , 2018, 40(1): 1-5.
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碲锌镉衬底上中长双色红外碲镉汞分子束外延生长研究

Research on Growth of M/L-wavelength Dual-band IR-MCT on CZT Substrate by MBE

    摘要
  • 摘要: 报道了使用分子束外延(Molecular beam epitaxy,MBE)技术,在(211)B碲镉汞(CdZnTe,CZT)衬底上生长中长波双色碲镉汞(HgCdTe,MCT)薄膜材料,生长温度为180℃,研究了双色碲镉汞薄膜材料衬底脱氧技术、分子束外延薄膜生长温度与缓冲层生长等关键技术,实现了中长波双色碲镉汞薄膜生长,外延薄膜采用相差显微镜、扫描电子显微镜(SEM)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)、二次离子质谱仪(SIMS)及X射线衍射仪(XRD)对薄膜的表面缺陷、厚度、组分及其均匀性、薄膜纵向组分以及晶体质量进行了表征,表面缺陷数量低于600 cm-2,组分(300 K测试)和厚度均匀性分别为?x≤0.001、?d≤0.9μm,X-Ray双晶衍射摇摆曲线FWHM=65 arcsec,得到了质量较高的中长波双色碲镉汞薄膜材料.

     

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