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余连杰, 史衍丽, 苏玉辉, 李雄军. Cd组分x对非晶态Hg1-xCdxTe薄膜暗电导的影响[J]. 红外技术, 2017, 39(1): 32-35.
引用本文: 余连杰, 史衍丽, 苏玉辉, 李雄军. Cd组分x对非晶态Hg1-xCdxTe薄膜暗电导的影响[J]. 红外技术, 2017, 39(1): 32-35.
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YU Lianjie, SHI Yanli, SU Yuhui, LI Xiongjun. Effect of Cd Composition on the Dark Conductivity of Amorphous Hg1-xCdxTe Thin Films[J]. Infrared Technology , 2017, 39(1): 32-35.
Citation: YU Lianjie, SHI Yanli, SU Yuhui, LI Xiongjun. Effect of Cd Composition on the Dark Conductivity of Amorphous Hg1-xCdxTe Thin Films[J]. Infrared Technology , 2017, 39(1): 32-35.
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Cd组分x对非晶态Hg1-xCdxTe薄膜暗电导的影响

Effect of Cd Composition on the Dark Conductivity of Amorphous Hg1-xCdxTe Thin Films

    摘要
  • 摘要: 利用射频溅射方法制备了非晶态Hg1-xCdxTe薄膜(x=O,0.22,0.50,0.66,1),在80 K～300K温度范围内,研究了Cd组分x对暗电导的影响.当温度T＞210 K时,随着Cd组分增加,暗电导减小;当温度T＜210K,随着Cd组分增加,则暗电导增大;当温度T=210K时,暗电导几乎与Cd组分无关.这可能是由于随着Cd组分增加,薄膜中的缺陷增加所致.a-Hg1-xCdxTe (x=0、0.22、0.50、0.66和1)薄膜中存在扩展态电导和局域态电导,Cd组分x越大,两种导电机制的转变温度Tm也越高.在T=300 K时,利用暗电导的激活能估算出了非晶态Hg1-xCdxTe薄膜的迁移率隙Eg,随着Cd组分x增加,迁移率隙Eg微弱减小.

     

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