高级检索
ENGLISH
杨超伟, 闫常善, 王琼芳, 李京辉, 韩福忠, 封远庆, 杨毕春, 左大凡, 赵丽, 俞见云. 铟凸点对倒装互连影响的研究[J]. 红外技术, 2016, 38(4): 310-314.
引用本文: 杨超伟, 闫常善, 王琼芳, 李京辉, 韩福忠, 封远庆, 杨毕春, 左大凡, 赵丽, 俞见云. 铟凸点对倒装互连影响的研究[J]. 红外技术, 2016, 38(4): 310-314.
shu
Dissecting the Influence of Indium Bumps for Flip-chip[J]. Infrared Technology , 2016, 38(4): 310-314.
Citation: Dissecting the Influence of Indium Bumps for Flip-chip[J]. Infrared Technology , 2016, 38(4): 310-314.
shu

铟凸点对倒装互连影响的研究

Dissecting the Influence of Indium Bumps for Flip-chip

    摘要
  • 摘要: 制作了2种形式的铟凸点:即直接蒸发沉积的铟柱和将铟柱回流得到的铟球.分别讨论了铟柱和铟球对倒装互连的影响,着重讨论了铟球和铟柱分别和芯片倒装互连后的剪切强度,结果发现在互连未回流的状态下铟球的剪切强度是铟柱的1.5倍,回流后铟球的剪切强度是铟柱的2.8倍.此外,分析讨论了长时间放置在空气中的铟球对倒装互连的影响,结果发现长时间放置在空气中的铟球和芯片互连后,器件的电学与机械连通性能会受到很大的影响.

     

    • HTML全文
    • 参考文献(0)
    • 相关文章
    • 施引文献
  • 资源附件(0)

/

返回文章
返回