台面PN结InSb红外探测器响应时间研究

马启, 邓功荣, 苏玉辉, 余连杰, 信思树, 龚晓霞, 陈爱萍, 赵鹏. 台面PN结InSb红外探测器响应时间研究[J]. 红外技术, 2016, 38(4): 305-309.

引用本文:

马启, 邓功荣, 苏玉辉, 余连杰, 信思树, 龚晓霞, 陈爱萍, 赵鹏. 台面PN结InSb红外探测器响应时间研究[J]. 红外技术, 2016, 38(4): 305-309.

Response of InSb Infrared Detector with Mesa PN Structure[J]. Infrared Technology , 2016, 38(4): 305-309.

Citation:

Response of InSb Infrared Detector with Mesa PN Structure[J]. Infrared Technology , 2016, 38(4): 305-309.

Response of InSb Infrared Detector with Mesa PN Structure

摘要: 分析了光伏InSb探测器响应时间与量子效率、反向饱和电流的关系,设计出量子效率为0.61～0.56、响应时间为20～60 ps的锑化铟(InSb)红外探测器,实验制备了台面p+-on-n结构的探测器.通过I-V、C-V测试验证了制备的器件物理参数与设计值吻合.采用脉冲响应测试了InSb探测器的响应时间(0.3?s),由于封装和其他分布电容的限制,响应时间测试值与理论计算值存在差距.

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