中波碲镉汞/钝化层界面电学特性研究

李雄军, 韩福忠, 李东升, 李立华, 胡彦博, 孔金丞, 朱颖峰, 庄继胜, 姬荣斌

李雄军, 韩福忠, 李东升, 李立华, 胡彦博, 孔金丞, 朱颖峰, 庄继胜, 姬荣斌. 中波碲镉汞/钝化层界面电学特性研究[J]. 红外技术, 2015, (10): 868-872.
引用本文: 李雄军, 韩福忠, 李东升, 李立华, 胡彦博, 孔金丞, 朱颖峰, 庄继胜, 姬荣斌. 中波碲镉汞/钝化层界面电学特性研究[J]. 红外技术, 2015, (10): 868-872.
LI Xiong-jun, HAN Fu-zhong, LI Dong-sheng, LI Li-hua, HU Yan-bo, KONG Jin-cheng, ZHU Ying-feng, ZHUANG Ji-sheng, JI Rong-bin. A Study of Interface Electrical Characteristics for MW HgCdTe/Passivation Layer[J]. Infrared Technology , 2015, (10): 868-872.
Citation: LI Xiong-jun, HAN Fu-zhong, LI Dong-sheng, LI Li-hua, HU Yan-bo, KONG Jin-cheng, ZHU Ying-feng, ZHUANG Ji-sheng, JI Rong-bin. A Study of Interface Electrical Characteristics for MW HgCdTe/Passivation Layer[J]. Infrared Technology , 2015, (10): 868-872.

中波碲镉汞/钝化层界面电学特性研究

基金项目: 国防973项目,编号613230;云南省创新团队计划,编号2014HC020。
详细信息
  • 中图分类号: TN304

A Study of Interface Electrical Characteristics for MW HgCdTe/Passivation Layer

  • 摘要: HgCdTe 表面/界面特性对器件性能具有重要的影响,表面/界面的状态主要依赖于表面处理和钝化工艺。采用 Br2/CH3OH 腐蚀液对液相外延(LPE)生长的中波 HgCdTe 薄膜进行表面处理后,使用CdTe/ZnS 复合钝化技术进行表面钝化,制备了相应的 MIS 器件并进行器件 C-V 测试。结果表明,HgCdTe/钝化层界面固定电荷极性为正,面密度为2.1×1011 cm-2,最低快界面态密度为1.43×1011 cm-2·eV-1,在10 V 栅压极值下慢界面态密度为4.75×1011 cm-2,较低的快界面态密度体现出了 CdTe/ZnS 复合钝化技术的优越性。
  • 期刊类型引用(5)

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    2024年6月6日