EBAPS闪烁噪声测试系统

罗振华, 成帅, 钱芸生, 张益军

罗振华, 成帅, 钱芸生, 张益军. EBAPS闪烁噪声测试系统[J]. 红外技术, 2024, 46(10): 1130-1137.
引用本文: 罗振华, 成帅, 钱芸生, 张益军. EBAPS闪烁噪声测试系统[J]. 红外技术, 2024, 46(10): 1130-1137.
LUO Zhenhua, CHENG Shuai, QIAN Yunsheng, ZHANG Yijun. Flicker Noise Testing System of Electron Bombarded Active Pixel Sensor[J]. Infrared Technology , 2024, 46(10): 1130-1137.
Citation: LUO Zhenhua, CHENG Shuai, QIAN Yunsheng, ZHANG Yijun. Flicker Noise Testing System of Electron Bombarded Active Pixel Sensor[J]. Infrared Technology , 2024, 46(10): 1130-1137.

EBAPS闪烁噪声测试系统

基金项目: 

国家自然科学基金“叶企孙”科学基金项目 U2141239

详细信息
    作者简介:

    罗振华(1999-),男,硕士研究生,主要从事微光成像器件测试技术研究。E-mail:luozhenhua5@163.com

    通讯作者:

    钱芸生(1968-),男,博士,教授,博士生导师,主要从事微光与红外成像器件与系统及相关测试技术、原位测试与分析、光电测试、图像处理和仿真研究。E-mail:yshqian@mail.njust.edu.cn

  • 中图分类号: TN223

Flicker Noise Testing System of Electron Bombarded Active Pixel Sensor

  • 摘要:

    电子轰击有源像素传感器(electron bombarded active pixel sensor,EBAPS)是新型的真空-固体混合型数字微光夜视器件。闪烁噪声是影响EBAPS分辨力和成像质量的关键因素,然而,目前EBAPS闪烁噪声的测试研究不足。为此,本文首先开展EBAPS闪烁噪声测试方法研究,使用连通域检测算法筛选高亮噪点区域,提出异常像素点自适应中值替代的离散系数测试方法,在此基础上研制了EBAPS闪烁噪声测试系统,采用离散系数和高亮噪点数量作为闪烁噪声的表征参数,驱动EBAPS将不同测试条件下采集到的图像数据传输至上位机进行噪声处理与分析,测试结果表明:合适的测试照度为1.27×10-3 lx,高亮噪点数量在-1000~-1300 V范围内数量较少,-1300~-1500 V时高亮噪点数量则明显提升。离散系数和连通域数量重复度均在3%以内,验证了测试系统的稳定性,为国产EBAPS闪烁噪声测试提供有效手段。

    Abstract:

    An electron bombarded active pixel sensor (EBAPS) is a novel vacuum-solid, hybrid, digital, low-light night vision device. Flicker noise is a key factor affecting the resolution and image quality of EBAPS; however, there is currently insufficient research on the testing of flicker noise in EBAPS. Hence, this study conducted research on EBAPS flicker noise testing methods using connected domain detection algorithms to filter out high-brightness noise spot areas and proposed an adaptive, median replacement, discrete coefficient testing method for abnormal pixel points. Based on these results, an EBAPS flicker-noise testing system was developed using the discrete coefficient and number of bright noise spots as parameters to characterize the flicker noise. The system drives the EBAPS to transfer image data collected under different test conditions to an upper computer for noise processing and analysis. The test results indicate that the appropriate test illuminance is 1.27×10−3 lx. Moreover, the number of high-brightness noise spots is relatively low in the −1000−1300 V range, and it significantly increases when the voltage is between −1300−1500 V. The repeatability of the discrete coefficient and number of connected domains was within 3%, thus verifying the stability of the testing system and providing an effective means by which to test flicker noise in domestic EBAPS.

  • 微光夜视技术是一种能够在极低光条件下实现观察和成像的技术,基本原理是利用光电转换和信号放大的过程增强微弱的光信号,它在军事、安防、野外探险等领域具有广泛的应用[1-2]。微光夜视技术的发展使得人们能够在低照度环境下获得清晰的图像,提高了夜间观察和监测的能力。

    电子轰击式有源像素传感器(EBAPS)作为先进的真空-固体混合微光探测器件[3-4]。具有高增益和可数字化输出的优点,在微光夜视、弱光探测等军用与科研领域引起了广泛的关注[5-6]。在国外,美国和法国在EBAPS技术方面的研究成果最为突出,美国的Intevac公司在EBAPS器件的稳定性和寿命上有显著的进展,并且基于其研制的ISIE11型数字微光器件研发了M611型“夜景”数字微光相机,成功应用于美军的“阿帕奇”武装直升机;法国的Photonis公司研发出了型号为NOCTURN的数字微光器件,并在欧洲多个国家的武器装备上得到了应用[2]。在国内,微光夜视技术国防科技重点实验室、中国电子科技集团公司第五十五所、中国科学院西安光学精密机械研究所、长春理工大学、南京理工大学等单位都对EBAPS器件开展了深入研究,并且已在EBAPS理论研究、器件制备、成像技术方面取得了一系列成果[7-13],为本文的工作奠定了基础。

    闪烁噪声是图像中快速闪烁、如雪花点般的一类噪声形式,会在图像中产生不必要的颜色或亮度变化,是人眼对图像噪声的直观感受体现。闪烁噪声的存在会削弱器件的成像效果和性能,影响人眼对图像有效目标的观察和识别,如何对器件闪烁噪声进行评估,从而开展针对性工作,以抑制闪烁噪声对图像质量的影响是目前成像器件研究工作中的重点。传统的信噪比评价指标反映的是成像器件中有效图像信号与干扰信号的强度比值,与人眼对噪声的感受特性不完全一致,无法真实体现器件闪烁噪声情况,并且EBAPS作为真空-固体混合器件在器件结构和工作原理方面都和传统的固体、真空器件存在差异,不能采用现有的设备与方法对EBAPS的闪烁噪声进行评估。因此,对EBAPS闪烁噪声的深入理解和准确测试,不仅可以在图像噪声抑制算法方面提供支持,而且对器件性能提升有参考意义,从而推动EBAPS器件及成像系统的进一步发展和应用。

    EBAPS器件一般采用近贴聚焦结构,用背部减薄且对电子敏感的有源像素传感器(APS)取代传统的荧光屏,并去掉了微通道板,减少了成像链的环节,其基本结构如图 1所示,主要包括入射窗、光电阴极、真空高压装置和APS芯片。当EBAPS器件运用于低照度目标成像时,其工作流程主要包括4个步骤,第一步为光电转换过程,当光线照射到EBAPS图像传感器的光电阴极表面时,光子会被光电阴极吸收并转化为电子;第二步为电子倍增过程,被激发的电子在高压电场的作用下被加速,并进入到APS芯片中,产生大量的二次电子,实现电子倍增;第三步为电子转换为电压信号过程,APS芯片中的每个像素单元包含一个光电转换器和一个电荷积累器,当电子进入光电转换器时,会产生电荷,并被电荷积累器收集和存储,当图像采集完成后,EBAPS图像传感器将电荷积累器中的电荷转换为电压信号;第四步为电压信号转换到图像信号的过程,通过读出电路将信号转换后传输到后续的图像信号处理电路,以进一步对图像信号进行处理或输出显示。当EBAPS在高照度条件下工作时,可通过调整轰击电压,退出电子轰击模式,使器件仅探测透过光窗和阴极的光学图像,从而切换到正常光敏CMOS成像模式。

    图  1  EBAPS基本结构示意图
    Figure  1.  Basic structure diagram of EBAPS

    闪烁噪声是图像中快速闪烁、如雪花点般的一类噪声形式,会在图像中产生不必要的颜色或亮度变化,是人眼对图像噪声的直观感受体现。在EBAPS工作过程中,会引入许多不同的噪声,包括光电转换造成的光子散粒噪声[14]、除气不彻底带来的离子反馈噪声、工艺问题产生的固定模式噪声、热运动导致的暗电流噪声[15-17]、高压电场造成的电子倍增噪声和读出电路造成的量化噪声,其中与闪烁噪声最相关的是光子散粒噪声与离子反馈噪声。

    在光电转换过程中,入射光以光子的形式照射到感光器像素区域,在光阴极处实现光电转换,释放出与光强度成正比的由光子产生的电子(光电子)。由于光的量子性质,所收集到的电子数量存在不可避免的不确定性。这种不确定性对这些电子的数目施加了泊松分布:

    $$ \left(I+N_{\mathrm{p}}\right) \sim P(I) $$ (1)

    式中:Np称为光子散粒噪声;P表示泊松分布。这种类型的噪声取决于光的强度,也就是说,取决于信号,散粒噪声是一个无法避免的噪声。散粒噪声表现为大面积存在,闪烁程度较弱的噪声。

    电子倍增过程,EBAPS在实现电子倍增产生大量二次电子的过程中,不可避免地会对前置阶段的光子散粒噪声放大,并且由于器件内部除气不彻底,在高压电场的作用下,残余气体与光电子碰撞时会产生离子反馈,产生离子反馈噪声[11]

    $$ N_{\mathrm{e}}=k N_{\mathrm{p}}+N_{\mathrm{f}} $$ (2)

    式中:Ne为电子倍增过程产生的噪声,包括放大的光子散粒噪声与离子反馈噪声;k为电子倍增系数;Np为光子散粒噪声;Nf为离子反馈噪声,离子反馈噪声表现为数量较少、无规则分布并且亮度较高的噪点。这两种表现形式噪声的产生机制相互独立,需要不同的角度进行量化评价。

    在空间域上,采用高亮噪点数量作为闪烁噪声的表征参数,高亮噪点为图像中数量较少、无规则分布并且亮度较高的噪点,测试原理为在设定实验环境下,连续时间内采集多帧图像,使用高亮噪点检测算法将高亮噪点或者噪点区域筛选出来,对多帧图像测试结果做均值处理。具体流程为,将采集到的图片先去除暗背景,之后根据一定的阈值转换为二值化图像,将二值化后的图像作为输入,遍历图像中的每个像素,如果当前像素不为目标像素,直接跳过,如果当前像素是目标像素并且未被标记过,开始一个新的连通域,使用深度优先搜索算法来查找八方向上与当前像素相连的所有像素,将其标记为同一连通域,将连通域中所包含的噪点个数,单个连通域的位置信息及其所包含的像素数量保存到结果矩阵中,高亮噪点检测算法流程图如图 2所示。

    图  2  高亮噪点检测算法流程
    Figure  2.  Flowchart of high brightness noise detection algorithm

    在时间域上,采用离散系数作为闪烁噪声的表征参数[18],离散系数可以反映单个像素点在一段连续时间内的信号变化情况,用于计算图像上随时间变化闪烁严重的区域,并且反映图像中大面积存在的闪烁噪声的闪烁程度,离散系数的计算公式为:

    $$ C_{\mathrm{v}}=\frac{\sigma}{\mu}$$ (3)
    $$\sigma=\sqrt{\frac{\sum\limits_{i=1}^n\left(x_i-\mu\right)^2}{n-1}}$$ (4)

    式中:Cv为离散系数;σ为标准差;μ为单个像素点的平均灰度值;n为连续采集的图片数量[13-15]

    在图像计算离散系数前的预处理过程中,会减掉暗背景的灰度值,去掉暗背景灰度值的图像会存在灰度平均值非常低的像素点,导致产生离散系数非常大的异常像素点,这样会对归一化离散系数的计算以及离散系数热力图的绘制造成不可避免的影响。因此,本文提出了异常像素点自适应中值替代的离散系数测试方法,可以有效避免异常像素点对图像整体离散系数的影响;具体方法就是遍历整张图像平均灰度值矩阵,对于小于设定阈值的像素点,使用中值代替该像素点灰度值,将遍历修改之后的平均灰度值矩阵用于离散系数的计算,这样就可以避免异常像素点值对离散系数的影响。

    自适应中值的原理为,先预设一个中值滤波器的窗口,判断当前窗口的中值是否为异常点,异常点为小于阈值的像素点或者是像素值在时间域上未发生变化的图像传感器的坏点,坏点通常具有较大的像素值,根据这两种异常点,设置判断中值是否为异常点的上下阈值,判断流程如下:

    $$ A_1=Z_{\mathrm{med}}-Z_{\min }$$ (5)
    $$A_2=Z_{\operatorname{med}}-Z_{\max }$$ (6)

    如果A1>0且A2<0,则Zmed为非异常点中值,直接输出Zmed,否则,增大窗口的尺寸,如果增大后的尺寸小于自适应中值滤波器所允许的最大窗口尺寸,重复上述过程,否则直接输出Zmed,自适应中值滤波流程图如图 3所示。

    图  3  异常像素点自适应中值替代的离散系数测试方法流程
    Figure  3.  Flowchart of discrete coefficient testing method for adaptive median substitution of abnormal pixel points

    离散系数表征图像像素点在一段时间内的信号变化情况,高亮噪点数量表征特定时刻下图像中闪烁噪声的数量,采用离散系数与高亮噪点数量作为EBAPS闪烁噪声的表征参数,可以更全面、准确地评估EBAPS图像的闪烁噪声。

    EBAPS闪烁噪声测试系统主要由面均匀光学系统、EBAPS驱动电路、数字恒流源、EBAPS专用高压电源、工控机、图像采集及测试软件组成,其结构原理图如图 4所示。

    图  4  EBAPS闪烁噪声测试系统结构原理
    Figure  4.  Schematic diagram of EBAPS flicker noise testing system structure

    光源系统以卤钨灯作为光源,工作电压为12 V,电流为4.16 A,功率为50 W,其色温稳定在2856 K±50 K范围内。该系统可以通过串口接收上位机的控制信号,驱动转轮选择所需的光阑和衰减片,输出10-6~1 lx照度范围的光信号,通过积分球输出均匀的面光源;通过自研的EBAPS测试专用高压电源可提供-1500~0 V的稳定轰击电压;实验室自主研制的EBAPS驱动电路,为器件正常工作提供保障,并为图像采集系统提供硬件支持,数字恒流源为EBAPS驱动电路提供稳定的7.5 V工作电压;测试软件对采集到的图像数据做进一步处理。实物图如图 5所示。

    图  5  EBAPS闪烁噪声测试系统实物
    Figure  5.  Photo of EBAPS flicker noise testing system

    EBAPS闪烁噪声测试系统的软件是基于Visual Studio 2013开发环境,利用MFC(Microsoft Foundation Classes)编写而成的。多线程技术可实现EBAPS图像采集和图像显示同时进行,并将采集到的图像进行实时处理分析。测试软件实现了在一个界面完成图像USB3.0采集、光源和高压测试参数设置、EBAPS图像闪烁噪声数据处理和测试结果显示等功能,程序界面如图 6所示。

    图  6  闪烁噪声测试软件界面
    Figure  6.  Diagram of flicker noise test software interface

    在测试过程中,软件界面左上角会实时显示EBPAS的输出图像,并捕获原图进行在线测试,选取感兴趣区域(ROI)计算离散系数和高亮噪点数量,并对离散系数做热力图显示,同时也可以打开本地图片进行同样的操作。

    通过改变光阑大小,在不同照度环境下采集EBAPS图像传感器传来的图像,在固定光强的情况下,可以通过调整EBAPS专用高压电源输出的轰击电压,在不同轰击电压环境下采集EBAPS图像传感器传来的图像。轰击电压选择-800 V~-1500 V,由于低于-1500 V电压会存在击穿器件的可能,所以实验控制轰击电压低于-1500 V,通过实验发现,在采样数量为50张时,离散系数趋于稳定,可以体现当前照度和高压环境下EBAPS图像的噪声闪烁程度。

    将实验光照度调到1×10-5 lx、1×10-4 lx、1×10-3 lx、1×10-2 lx、1×10-1 lx、1 lx,并选择0 V、-1000 V、-1200 V和-1400 V的轰击电压,离散系数测试曲线如图 7所示,离散系数总体呈先下降后上升再下降的趋势,在极低照度时,随着照度增加,图像像素点灰度平均值增加,离散系数下降;在离散系数最低后,随着照度增加,光子散粒噪声增加,并且增加幅度高于像素点灰度平均值,离散系数开始上升;到离散系数最高点后,图像开始饱和,信号与噪声无法很好区分,离散系数后再次下降。

    图  7  不同轰击电压下6个照度的离散系数
    Figure  7.  Coefficient of variation of 6 illuminance levels under different bombardment voltages

    为分析图像未饱和时轰击电压对离散系数的影响,在轰击电压为-800 V和-1000 V,并且其他测试条件保持不变的测试环境下,分别将测试光照度调到1×10-1 lx、5.9×10-4 lx、1.27×10-3 lx、5.74×10-3 lx、8.98×10-3 lx、1.1×10-2 lx、3.16×10-2 lx,测试曲线如图 8所示,离散系数呈先上升后下降的趋势,并在光源照度为1.27×10-3 lx时,该电压下的EBAPS器件采集到的图像获得最大的离散系数值。

    图  8  -800 V和-1000 V轰击电压下7个照度下的离散系数
    Figure  8.  Coefficient of variation at 7 illuminance levels under bombardment voltages of −800 V and −1000 V

    在相同增益、曝光时间、轰击电压的环境下,采集到图像的离散系数会随着光源照度的不同而改变;在特定轰击电压下,找到最合适的光源照度,使EBAPS工作在合适的状态,此时的离散系数是最能反映闪烁噪声情况的。本次实验中,1.27×10-3 lx为最合适的光源照度,后续实验都将在该照度下进行。当低于该照度时,进入EBAPS阴极的光子数量少,信号与噪声都变得微弱难以区分,而高于该照度时,信号与噪声无法很好地区分,离散系数就会下降,与实验结果相符合。

    图 9为在1.27×10-3 lx照度下,高压从-1000~-1500 V对100张连续图像处理得到的离散系数分布热力图,颜色偏深蓝区域离散系数低,部分颜色偏红像素点离散系数高,是闪烁程度严重的区域,图中浅色区域离散系数高,有大量闪烁噪声,属于EBAPS的电子敏感ROI区域。

    图  9  不同轰击电压下的离散系数热力图:(a) 电压为-1000 V;(b) 电压为-1100 V;(c) 电压为-1200 V;(d) 电压为-1300 V;(e) 电压为-1400 V;(f) 电压为-1500 V
    Figure  9.  Discrete coefficient thermodynamic diagram under different bombardment voltages (a)Voltage −1000 V; (b)Voltage −1100 V; (c)Voltage −1200 V; (d)Voltage −1300 V; (e)Voltage −1400 V; (f)Voltage −1500 V

    重复性是评价测试系统稳定性的重要指标[19]。其计算方法如下:

    $$ \sigma=\sqrt{\frac{\sum\left(x_{i}-x\right)^{2}}{n-1}} $$ (7)
    $$ \delta=\frac{\sigma}{x} \times 100 \% $$ (8)

    式中:δ为重复性;σ为标准差;nn次测试平均值; xi为是第i次测试的数据。

    为验证测试系统的稳定性,在保持除轰击电压之外,其他测试条件不变的情况下,连续5次测试-1000~-1500 V轰击电压下的离散系数,将5次的离散系数结果绘制在同一张坐标系中,结果如图 10所示。

    图  10  -1000 V~-1500 V下连续5次测得的离散系数曲线
    Figure  10.  Dispersion coefficient curves obtained for 5 consecutive measurements of −1000 to −1500 V

    图 10可知,EBAPS图像传感器图像的离散系数在1.27×10-3 lx照度下随着轰击电压的减小而增大,并且是一个线性增大的趋势。并且-1000~-1500 V离散系数的重复性分别为2.24%、0.24%、0.5%、0.5%、0.2%、0.3%,均在3%以内,离散系数测试稳定。

    为了分析不同电压下高亮闪烁噪声的数量情况,设置连通域检测算法中二值化的阈值为100,并在保持除轰击电压之外,其他测试条件不变的情况下,统计不同电压下对50张连续图像进行连通域检测算法得到的高亮闪烁噪声数量平均值,统计数据如表 1所示。

    表  1  -1000 V~-1500 V连通域数量
    Table  1.  Number of connected domains from −1000 to −1500 V
    Bombardment voltage/V Number of tests Average value Repeatability/%
    1 2 3 4 5
    −1000 7.90 7.86 7.74 7.88 7.74 7.82 0.99
    −1100 7.56 8.00 8.10 7.72 7.90 7.86 2.76
    −1200 7.92 7.90 8.12 7.92 8.24 8.04 1.91
    −1300 11.94 12.18 12.10 12.52 12.26 12.20 1.75
    −1400 23.66 23.06 23.42 23.06 22.72 23.18 1.56
    −1500 42.90 42.62 41.34 42.88 40.88 42.12 2.25
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    表 1可知:电压在-1200 V以内,连通域检测算法二值化阈值在100的情况下,高亮噪点的数量的变化极小,说明在-1200 V以内的高压,会形成少量的高亮噪点;而在-1200~-1500 V,高亮噪点的数量有了明显的提升,但-1300~-1400 V连通域增加数量要低于-1400~-1500 V。因此由实验可知,在-1300 V之后,减小相同轰击电压,高亮噪点数量的增加速度逐渐变快。连通域检测模块重复性皆在3%以内,高亮噪点数量测试稳定。

    针对目前EBAPS闪烁噪声缺乏测试手段的问题,本文基于EBAPS真空-固态混合成像特性,开展了EBAPS闪烁噪声测试技术研究。研制了一套EBAPS闪烁噪声测试系统,实现了图像采集、USB3.0图像传输、连通域检测、离散系数计算及热力图显示等多项功能。在照度为1×10-5~1 lx范围内,轰击电压分别为0 V、-1000 V、-1200 V和-1400 V的测试条件下,离散系数呈现先下降后上升再下降的趋势。当轰击电压为-800 V与-1000 V时,EBAPS处于电成像模式,并在1.26×10-4 lx到3.16×10-2 lx照度范围内,离散系数先升高再下降,由此确定1.27×10-3 lx为合适的实验照度。在所有条件保持不变的情况下,对EBAPS施加从-1000~-1500 V的电压,并连续测试5次,发现离散系数随着轰击电压的减小而线性增大,且离散系数重复度均在3%以内。同时,高亮噪点数量在-1000~-1300 V时数量较少,从-1300~-1500 V时,高亮噪点数量会有显著提升;并且随着轰击电压减小,高亮噪点数量的增加速度加快。高亮噪点数量重复度同样在在3%以内,说明测试系统总体稳定,从而为国产EBAPS闪烁噪声提供一种有效测试手段。

  • 图  1   EBAPS基本结构示意图

    Figure  1.   Basic structure diagram of EBAPS

    图  2   高亮噪点检测算法流程

    Figure  2.   Flowchart of high brightness noise detection algorithm

    图  3   异常像素点自适应中值替代的离散系数测试方法流程

    Figure  3.   Flowchart of discrete coefficient testing method for adaptive median substitution of abnormal pixel points

    图  4   EBAPS闪烁噪声测试系统结构原理

    Figure  4.   Schematic diagram of EBAPS flicker noise testing system structure

    图  5   EBAPS闪烁噪声测试系统实物

    Figure  5.   Photo of EBAPS flicker noise testing system

    图  6   闪烁噪声测试软件界面

    Figure  6.   Diagram of flicker noise test software interface

    图  7   不同轰击电压下6个照度的离散系数

    Figure  7.   Coefficient of variation of 6 illuminance levels under different bombardment voltages

    图  8   -800 V和-1000 V轰击电压下7个照度下的离散系数

    Figure  8.   Coefficient of variation at 7 illuminance levels under bombardment voltages of −800 V and −1000 V

    图  9   不同轰击电压下的离散系数热力图:(a) 电压为-1000 V;(b) 电压为-1100 V;(c) 电压为-1200 V;(d) 电压为-1300 V;(e) 电压为-1400 V;(f) 电压为-1500 V

    Figure  9.   Discrete coefficient thermodynamic diagram under different bombardment voltages (a)Voltage −1000 V; (b)Voltage −1100 V; (c)Voltage −1200 V; (d)Voltage −1300 V; (e)Voltage −1400 V; (f)Voltage −1500 V

    图  10   -1000 V~-1500 V下连续5次测得的离散系数曲线

    Figure  10.   Dispersion coefficient curves obtained for 5 consecutive measurements of −1000 to −1500 V

    表  1   -1000 V~-1500 V连通域数量

    Table  1   Number of connected domains from −1000 to −1500 V

    Bombardment voltage/V Number of tests Average value Repeatability/%
    1 2 3 4 5
    −1000 7.90 7.86 7.74 7.88 7.74 7.82 0.99
    −1100 7.56 8.00 8.10 7.72 7.90 7.86 2.76
    −1200 7.92 7.90 8.12 7.92 8.24 8.04 1.91
    −1300 11.94 12.18 12.10 12.52 12.26 12.20 1.75
    −1400 23.66 23.06 23.42 23.06 22.72 23.18 1.56
    −1500 42.90 42.62 41.34 42.88 40.88 42.12 2.25
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出版历程
  • 收稿日期:  2023-10-19
  • 修回日期:  2023-11-20
  • 刊出日期:  2024-10-19

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