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InP/InGaAs探测器氮化硅钝化膜的ICPCVD生长技术

龚燕妮, 杨文运, 杨绍培, 范明国, 褚祝军

龚燕妮, 杨文运, 杨绍培, 范明国, 褚祝军. InP/InGaAs探测器氮化硅钝化膜的ICPCVD生长技术[J]. 红外技术, 2019, 41(6): 511-514.
引用本文: 龚燕妮, 杨文运, 杨绍培, 范明国, 褚祝军. InP/InGaAs探测器氮化硅钝化膜的ICPCVD生长技术[J]. 红外技术, 2019, 41(6): 511-514.
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GONG Yanni, YANG Wenyun, YANG Shaopei, FAN Mingguo, CHU Zhujun. Study on the ICPCVD Technology of Silicon Nitride Passivation Films for InP/InGaAs Detectors[J]. Infrared Technology , 2019, 41(6): 511-514.
Citation: GONG Yanni, YANG Wenyun, YANG Shaopei, FAN Mingguo, CHU Zhujun. Study on the ICPCVD Technology of Silicon Nitride Passivation Films for InP/InGaAs Detectors[J]. Infrared Technology , 2019, 41(6): 511-514.
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InP/InGaAs探测器氮化硅钝化膜的ICPCVD生长技术

  • 北方夜视技术股份有限公司,云南昆明 650223;北方夜视科技集团有限公司,云南昆明 650223

  • 北方夜视科技集团有限公司,云南昆明,650223

  • 北方夜视科技集团有限公司

基金项目: 云南省基础研究重大项目(2016FC002)
详细信息

  • 中图分类号: TN363

Study on the ICPCVD Technology of Silicon Nitride Passivation Films for InP/InGaAs Detectors

摘要

    摘要
  • 摘要: 采用ICPCVD工艺对InP/InGaAs探测器进行SiNx薄膜钝化,讨论了不同气体比例、射频功率和反应压力对SiNx薄膜应力和致密性的影响.初步得到了低应力、良好致密性的SiNx薄膜沉积工艺.利用此工艺制作的InP/InGaAs探测器在偏压为-10 mV的暗电流比PECVD工艺制作的器件降低了一个数量级,为4.4×10-8 A.
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