以色列SCD公司的Ⅲ-Ⅴ族红外探测器研究进展

李俊斌, 李东升, 杨玉林, 常超, 覃钢, 杨晋, 周旭昌, 杨春章, 李艳辉

李俊斌, 李东升, 杨玉林, 常超, 覃钢, 杨晋, 周旭昌, 杨春章, 李艳辉. 以色列SCD公司的Ⅲ-Ⅴ族红外探测器研究进展[J]. 红外技术, 2018, 40(10): 936-945.
引用本文: 李俊斌, 李东升, 杨玉林, 常超, 覃钢, 杨晋, 周旭昌, 杨春章, 李艳辉. 以色列SCD公司的Ⅲ-Ⅴ族红外探测器研究进展[J]. 红外技术, 2018, 40(10): 936-945.
LI Junbin, LI Dongsheng, YANG Yulin, CHANG Chao, QIN Gang, YANG Jin, ZHOU Xuchang, YANG Chunzhang, LI Yanhui. Ⅲ-Ⅴ Semiconductor Infrared Detector Research in SCD of Israel[J]. Infrared Technology , 2018, 40(10): 936-945.
Citation: LI Junbin, LI Dongsheng, YANG Yulin, CHANG Chao, QIN Gang, YANG Jin, ZHOU Xuchang, YANG Chunzhang, LI Yanhui. Ⅲ-Ⅴ Semiconductor Infrared Detector Research in SCD of Israel[J]. Infrared Technology , 2018, 40(10): 936-945.

以色列SCD公司的Ⅲ-Ⅴ族红外探测器研究进展

详细信息
  • 中图分类号: TN215

Ⅲ-Ⅴ Semiconductor Infrared Detector Research in SCD of Israel

  • 摘要: Ⅲ-Ⅴ 族半导体在第三代红外探测器中扮演了重要的角色,近年来越来越受到人们的瞩目,特别是InAs/GaSb二类超晶格已经成为除碲镉汞外最受关注的红外探测器材料.本文简要回顾了以色列SCD公司在Ⅲ-Ⅴ族红外探测器的研究历程.重点总结了SCD关于InAsSb nBn中波高温探测器和InAs/GaSb二类超晶格pBp长波探测器中的研发.
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