InAs/GaSb二类超晶格中长波双色红外焦平面器件研究

张舟, 汪良衡, 杨煜, 李云涛, 丁颜颜, 雷华伟, 刘斌, 周文洪

张舟, 汪良衡, 杨煜, 李云涛, 丁颜颜, 雷华伟, 刘斌, 周文洪. InAs/GaSb二类超晶格中长波双色红外焦平面器件研究[J]. 红外技术, 2018, 40(9): 863-867.
引用本文: 张舟, 汪良衡, 杨煜, 李云涛, 丁颜颜, 雷华伟, 刘斌, 周文洪. InAs/GaSb二类超晶格中长波双色红外焦平面器件研究[J]. 红外技术, 2018, 40(9): 863-867.
ZHANG Zhou, WANG Liangheng, YANG Yu, LI Yuntao, DING Yanyan, LEI Huawei, LIU Bin, ZHOU Wenhong. Research on Mid-/Long-wavelength Dual Band Infrared Focal Plane Array Photodetector Based on Type-Ⅱ Superlattice[J]. Infrared Technology , 2018, 40(9): 863-867.
Citation: ZHANG Zhou, WANG Liangheng, YANG Yu, LI Yuntao, DING Yanyan, LEI Huawei, LIU Bin, ZHOU Wenhong. Research on Mid-/Long-wavelength Dual Band Infrared Focal Plane Array Photodetector Based on Type-Ⅱ Superlattice[J]. Infrared Technology , 2018, 40(9): 863-867.

InAs/GaSb二类超晶格中长波双色红外焦平面器件研究

详细信息
  • 中图分类号: TN213

Research on Mid-/Long-wavelength Dual Band Infrared Focal Plane Array Photodetector Based on Type-Ⅱ Superlattice

  • 摘要: 采用分子束外延工艺方法生长的InAs/GaSb二类超晶格材料因其独特的能带断带结构,极大地降低了俄歇复合暗电流,且其较大的电子有效质量使得隧穿电流进一步降低,因此超晶格材料成为国内外红外领域研究关注的重点.本文介绍的超晶格中长波双色探测器采用npn背靠背结构,阵列规模为320×256,像元中心距为30 μtm.其中测得80K温度下,-O.1V偏压工作时中波50%截止波长为4.5 μm,O.17V偏压工作时长波50%截止波长为10.5 μm,对应的峰值量子效率为45%、33%,相应的暗电流密度为5.94×10-7 A/cm2@-0.1 V、1.72×10-4 A/cm2@0.17V,NETD为16.6mK、15.6mK.
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