增强短波红外InGaAs探测器透过率的纳米光天线研究

传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海200083;中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海200083;中国科学院大学,北京100049
传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海200083;中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海200083

基金项目: 国家自然科学基金青年科学基金项目(61604159)%国家自然科学基金青年科学基金项目(61704180)

详细信息

Enhanced Transmissivity of InP-based InGaAs Photodetectors by Optical Nano-antenna

摘要: 过去几十年中,短波红外InGaAs探测器被广泛用于近红外探测系统中,通过将InGaAs光电探测器与纳米光天线结合可以增强光吸收并提高量子效率.然而,这种纳米光天线往往由聚焦离子束或电子束光刻制备而成,制备成本较高.本文介绍了一种更经济的沉积法来制备纳米光天线.用沉积法制备了纳米Ag颗粒阵列,Ag球平均半径为200 nm.研究了Ag纳米球阵列的表面等离子体效应对InGaAs光电探测器光吸收性能的影响,发现在整个近红外波段,InGaAs光电探测器帽层的透过率均显著提高.并且发现SiO2涂层激发了局域表面等离子体共振,分析了其对波长1μm附近的入射光的透过率增强效应.
- InGaAs光电探测器 /
- 纳米光天线 /
- 表面等离子体

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