InAs/GaSb超晶格长波红外探测器
详细信息Long-wavelength Super Lattice Infrared Detectors Based on InAs/GaSb
-
摘要: InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器因其特殊的能带结构及其自身的材料和器件优势,在红外成像技术上具备极大的应用价值和前景,同时在大面阵长波红外探测器及甚长波红外探测器领域展现出优异的器件性能,并推动世界各国对这一低维半导体研究的持续发展,成为第三代红外探测器技术的最佳选择,并在国防建设、医疗、电力、天文学、抗灾方面有着广泛的应用.本文着重介绍了Ⅱ类超晶格长波红外探测器器件的制备、焦平面的成像测试以及器件的相关性能.长波探测器器件在77 K条件下10%截止波长为14 μm,峰值量子效率为35%,峰值响应2.6 A/W,峰值探测率接近1×1010 cmHz1/2W-1.
-
-
期刊类型引用(4)
1. 黄思宁,范琦,孟真,田昌会,杨百愚,王斌科,王军. 具有中远红外双阻带特性的频率选择表面设计. 激光与红外. 2020(04): 450-456 . 百度学术
2. 陈淑瑜,韦德泉. 电磁超表面高灵敏度太赫兹传感器的设计. 激光杂志. 2019(04): 18-22 . 百度学术
3. 杨森. 金属材料吸波器吸波频率动态调节仿真. 计算机仿真. 2019(06): 251-254 . 百度学术
4. 车志新,田昌会,陈晓莉,王斌科,韩文亮. 红外周期性吸波结构的设计. 红外技术. 2018(04): 327-331 . 本站查看
其他类型引用(8)
计量
- 文章访问数: 261
- HTML全文浏览量: 23
- PDF下载量: 47
- 被引次数: 12