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InGaAs/InP红外雪崩光电探测器的研究现状与进展

胡伟达, 李庆, 温洁, 王文娟, 陈效双, 陆卫

胡伟达, 李庆, 温洁, 王文娟, 陈效双, 陆卫. InGaAs/InP红外雪崩光电探测器的研究现状与进展[J]. 红外技术, 2018, 40(3): 201-208.
引用本文: 胡伟达, 李庆, 温洁, 王文娟, 陈效双, 陆卫. InGaAs/InP红外雪崩光电探测器的研究现状与进展[J]. 红外技术, 2018, 40(3): 201-208.
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HU Weida, LI Qing, WEN Jie, WANG Wenjuan, CHEN Xiaoshuang, LU Wei. Recent Progress in InGaAs/InP Infrared Avalanche Photodetectors[J]. Infrared Technology , 2018, 40(3): 201-208.
Citation: HU Weida, LI Qing, WEN Jie, WANG Wenjuan, CHEN Xiaoshuang, LU Wei. Recent Progress in InGaAs/InP Infrared Avalanche Photodetectors[J]. Infrared Technology , 2018, 40(3): 201-208.
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InGaAs/InP红外雪崩光电探测器的研究现状与进展

  • 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海200083

  • 中国科学院上海技术物理研究所

基金项目: 国家杰出青年基金项目(61725505)
详细信息

  • 中图分类号: O572

Recent Progress in InGaAs/InP Infrared Avalanche Photodetectors

摘要

    摘要
  • 摘要: 近年来,量子卫星通信、主动成像等先进技术的应用取得了较大的进展,InGaAs/InP雪崩光电探测器作为信息接收端的核心器件起到了至关重要的作用.本文系统介绍了InGaAs/InP雪崩光电探测器的工作原理,分析了器件结构设计对暗电流特性的影响,对盖格模式下多种单光子探测电路进行了综述,同时对新型金属-绝缘体-金属结构设计的研究进展进行了介绍和展望.
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    1. 方珉，许羽，赵亚南，吴玮，宋佳囡. 基于SiP技术的小型化红外前端采集微系统. 电子设计工程. 2021(10): 180-184 . 百度学术

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