NEA GaN光电阴极材料光学特性研究

乔建良, 高有堂, 徐源, 牛军, 常本康

乔建良, 高有堂, 徐源, 牛军, 常本康. NEA GaN光电阴极材料光学特性研究[J]. 红外技术, 2017, 39(7): 664-668.
引用本文: 乔建良, 高有堂, 徐源, 牛军, 常本康. NEA GaN光电阴极材料光学特性研究[J]. 红外技术, 2017, 39(7): 664-668.
QIAO Jianliang, GAO Youtang, XU Yuan, NIU Jun, CHANG Benkang. Optical Characteristics of NEA GaN Photocathode Material[J]. Infrared Technology , 2017, 39(7): 664-668.
Citation: QIAO Jianliang, GAO Youtang, XU Yuan, NIU Jun, CHANG Benkang. Optical Characteristics of NEA GaN Photocathode Material[J]. Infrared Technology , 2017, 39(7): 664-668.

NEA GaN光电阴极材料光学特性研究

基金项目: 国家自然科学基金((61371058)资助的课题)
详细信息
  • 中图分类号: TN304

Optical Characteristics of NEA GaN Photocathode Material

  • 摘要: 针对NEA GaN光电阴极结构设计和制备工艺需进一步优化的问题,结合阴极量子效率表达式和影响量子效率的因素,采用理论和实验相结合的方法,分别研究了GaN光电阴极材料的表面反射率、光学折射率、光谱吸收系数以及透射光谱等光学参数.结果表明在250 nm到365 nm的波长范围内,表面反射率相对平稳,是影响量子效率的直接因素,而光学折射率则通过电子表面逸出几率间接影响着量子效率.给出了均匀掺杂GaN光电阴极的光谱吸收系数的特点,根据变掺杂NEA GaN光电阴极的结构特点,给出了光谱平均吸收系数的概念和等价计算公式,并对均匀掺杂与变掺杂NEA GaN光电阴极光谱吸收系数进行了对比.
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